新洁能产品布局、经营状况及成长空间如何？

以MOSFET为起点，功率器件多维拓展。

1.公司是国内MOSFET料号最全的公司

公司是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET 的企业，也是国内 MOSFET 品类齐全且产品技术先进的公司，公司产品型号超 1600 款，电压覆盖 12V-1700V 全系列，应用覆盖汽车电子、光伏和储能、数据中心、 5G 通讯、工业电源、机器人、安防、变频家电、农用无人机、医疗设备及锂电保 护等十余个行业。

公司经营稳健，新能源业务持续拓展。公司近 5 年业绩保持高速增长，扣非归母净利润复合增速为 55.5%。2017-2021 年公司营业收入年均复合增长率 31.6%；扣非归母净利润年均复合增长率 55.5%。公司毛利率及净利率加速提升，研发投入不断增加。随着新能源汽车及发电产品 向高附加值的方向渗透，2017 年以来公司毛利率整体呈上升态势，从 17 年的 24.70%提升至 1-3Q22的38%。此外公司持续加大研发投入，近 5 年研发费用持 续增加。

产品与应用结构不断优化，拓宽公司成长空间。公司 IGBT、SGT MOS、超级结 MOS 等新能源需求旺盛的品类比例逐年提升，其中 IGBT 在光伏、储能驱动下 1H22 销 售收入同比增长371.23%，占比从 1H21的 3.89%提升到 1H22的 14.57%；SGT-MOSFET 为替代国际一流厂商料号最多的产品且较多料号进入新能源汽车领域，销售占比 从 1H21 的 39.66%提升到 1H22 的 41.89%；SJ-MOSFET 在数据中心、汽车 OBC、充 电桩及微型逆变器等应用驱动下 1H22 销售收入同比增长 66.16%；占比从 1H21 的 8.72%提升至 1H22 的 11.52%。

新能源客户加速拓展，汽车与光储占比大幅提升。截至 1H22，在汽车电子方面， 公司对比亚迪、小鹏、理想、蔚来、极氪、上汽、江淮、五菱等车企批量供货， 产品应用于主驱电控、OBC、动力电池管理、刹车、ABS、智能驾驶系统等核心领 域。光储方面，公司已经大量供应国内阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、 锦浪科技、正泰电源等 80%以上的头部光伏企业。公司 3Q22 单季度光储应用占比 已提升至 30%，汽车电子占比提升至 14%，预计 4Q22 仍然保持高速增长。

2.未来IGBT与宽禁带半导体将打开公司多维成长空间

公司募投项目扩品类布局，拓展多条增长曲线。22 年，公司募集 14 亿元进行功 率驱动 IC 及智能功率模块（PIM）、SiC/GaN 功率器件及封测、SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）研发及产业化项目的建设。在 SiC/GaN 功率器件及 封测项目方面，投资 2.23 亿元，由于 SiC/GaN 功率器件与公司高压超结功率 MOSFET 和 IGBT 产品的潜在市场领域具有一定重合度，在客户及产业链上均有积 累，未来有望快速发展。

在功率驱动 IC 及智能功率模块（IPM）领域，公司投资 6.17 亿，目前公司已拥有约 1,500 种细分型号产品，可与功率驱动 IC 及智能功 率模块（IPM）充分配套，满足不同下游的差异化需求。在 PIM 方面，公司投资 5.09亿元，目前已针对光伏储能等市场成功开发了部分低损耗高频IGBT及MOSFET 模块产品并已形成小批量试产和销售，少量功率集成模块产品已经通过客户功能 测试，并将实现大批量供应。

22-25 年全球 IGBT 市场将 15.9%复合增速增长至 1071 亿元，公司 IGBT 产品性能 优异，业务进入高速增长期。结合 Omdia 数据，我们测算 22-25 年全球 IGBT（绝 缘栅双极型晶体管）市场将从 687 亿元增至 1071 亿元。公司已推出先进的超薄晶 圆 IGBT 产品，作为光伏、储能行业的重点应用产品，公司 IGBT 业务占比由 21 年 3.89%提升至 1-3Q22 的 19%。在此基础上，公司向模块产品延伸，22 年募投项 目 SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模块（含车规级）投资额约为 5 亿，建设周期为 3 年，预计第 1 年达产率为 40%，第 2 年达产率为 80%，第三年实现满产。目前， 公司已针对光伏储能等市场成功开发了部分低损耗高频 IGBT 模块产品并已形成 小批量试产和销售，未来随产能释放以及下游客户的迫切需求，该类产品有望实 现逐步批量供应。

22-25 年全球碳化硅器件市场将以 42%复合增速增长至 43 亿美元，公司已推出碳 化硅产品。我们结合 Yole 数据测算，预计 SiC 器件市场将从 2021 年 10.9 亿美元 增至 2025 年 43 亿美元以上，复合增速达 42%。其中，新能源汽车将从 2021 年 6.7 亿增至 2025 年 34 亿美元，复合增速 51%，占整个市场 80%。目前公司已开发以 SiC MOSFET 为代表的 SiC、GaN 产品，逐步进入送样验证阶段；此外，公司投资碳化 硅衬底企业——常州臻晶半导体，在碳化硅衬底领域进行产业链布局，预计该业 务未来有望随市场加速渗透同步成长。