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由匿名用户编辑于2023/02/08 13:14
衬底和外延成本占比高达70%，远高于硅基衬底，导致碳化硅功率器件渗透率较低。
从最上游的碳粉、硅粉制备成碳化硅圆晶，再进行外延，最后制备成SBD、MOSFET、IGBT等器件，圆晶及外延是整个环节最关键的一环。 他决定着上游原材料制备的方式及相关参数，同时也决定着下游器件的性能。
碳化硅衬底约占碳化硅器件成本的47%，外延环节又占据23%，制造前的成本占据全部成本的70%。而对于Si基器件来说，晶圆制造占据 50%的成本，硅片衬底仅占据7%的成本，碳化硅器件上游衬底和外延价值量凸显。由于碳化硅衬底及外延价格相对硅片较为昂贵，碳化硅功率 器件现阶段渗透率较低。然而，由于碳化硅器件高效率、高功率密度等特性，新能源汽车、能源、工业等领域的强劲需求有望带动碳化硅渗透 率快速提升。
参考报告
2022中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告.pdf
2022中国SIC碳化硅器件行业深度研究报告。SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。碳化硅原材料核心优势体现在：1)耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；2)耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；3)耐高温特性：SiC相较硅拥...
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