JEDEC放宽HBM高度标准对TCB设备与混合键合的产业化进程有何影响？

JEDEC协会对HBM高度标准的放宽，直接延缓了存储厂商向混合键合技术全面切换的迫切性，从而在短期内显著巩固并延长了TCB（热压键合）设备的生命周期与市场需求。

具体而言，2025年JEDEC协会放宽了HBM4在高度方面的要求，打破了原先最高720微米的限制，将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度放宽至775微米。这一标准调整的核心目的在于支持存储厂商在现有的键合技术体系中实现16层堆叠，而无需立刻承担转向全新混合键合技术所带来的高昂转换成本与良率风险。此外，随着HBM性能要求的持续提升，JEDEC正考虑再次将HBM的高度限制提高至900微米，以进一步缓解存储器制造商的生产瓶颈，支持下一代HBM产品更快进入大规模生产阶段，同时达到降低成本和提升良品率的效果。

这一技术路线的延展对ASMPT的短期业绩形成了强力支撑。由于HBM4当前仍以TCB、MR-MUF等工艺为主，热压键合设备依然是各存储厂商HBM制造的主流键合设备。HBM后续产品正向20层DRAM升级，堆叠层数的提升叠加HBM的强劲需求，将在短期内持续拉动TCB设备的采购量。反映在业务数据上，ASMPT 2025年全年TCB业务营收实现了146%的同比增长，针对HBM4-12Hi的TCB解决方案已获得多家客户订单，用于16Hi的有助焊剂TCB设备也已进入样品测试阶段。

在中长期维度上，标准的放宽并未改变混合键合作为终极技术方向的趋势，但为公司争取了更充裕的研发与客户验证窗口期。混合键合在互连密度、带宽密度（提升近200倍）及能效（提升超100倍）上的数量级优势依然不可替代，且能将HBM堆叠热阻降低约30%。ASMPT正利用这一时间窗口推进其第二代混合键合平台的研发，致力于实现更高的对准精度和连接精度，目前相关设备已进入主要逻辑和存储客户的样品测试阶段。整体来看，JEDEC的标准调整为TCB设备提供了确定的短期放量空间，同时促使混合键合的渗透节奏更加平滑地向HBM5及更高层数堆叠阶段过渡。