射频GaN行业深度报告：5G、快充、UVC，第三代半导体潮起.pdf
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- 时间：2020/02/18
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GaN 射频器件具有高频、高功率、宽带宽、低功耗、小尺寸的特点， 能在 5G 时代节省宝贵的 PCB 空间，并达到良好的功耗控制。GaN- on-Si 有望挑战 BTS 和 RF 功率市场中现有的 LDMOS 解决方案。
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