英诺赛科业务布局、竞争壁垒及盈利分析

IDM 高筑护城河，产能扩张&多领域布局驱动盈利能力快速 提升。

1.消费电子：导入头部厂商，加强布局家电等领域构筑长期增长

公司氮化镓产品深度渗透消费电子核心场景，旗舰双向氮化镓芯片产品和技术处于国际 领先水平。氮化镓高频、高功效、开关速度快、低单位面积运作功率损耗（导通电阻）等 特性可显著提高各种消费电子产品的性能及效率、缩小尺寸。2024 年，公司 700V 氮化 镓合封芯片成功量产，集成自适应驱动电路与无损电流检测技术，显著提升了充电端的 性能表现。同时，公司将领先的产品拓展至超薄电视、空调、音频系统、厨房电器等细分 市场，应用场景不断丰富。

进入头部品牌供应链，加速市场放量+国产化进程。2019 年公司 650V 器件成功导入快充 市场即获得华硕、安克等头部品牌采用；2021 年公司双向导通产品 VGaN 率先导入 OPPO 手机，成为全球首款导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片，一颗双向氮 化镓芯片可替代两颗硅 MOSFET；2022 年联合安克推出全球首款 65W 全氮化镓快充， 首次在 AC/DC 端同时采用 GaN 芯片。后续通过持续推出不同导通电阻的产品，完善产 品矩阵，公司产品进入 OPPO、Vivo、小米、安克、绿联等头部消费电子品牌供应链，其 InnoGaN 氮化镓开关管在终端产品中的规模化应用，成功打破英飞凌、纳微半导体等国 际厂商对高端氮化镓器件的长期垄断。

积极布局快充以外其他消费电子应用场景，进一步打开消费电子市场增量空间。（1）在 音频领域，公司聚焦 D 类音频功率放大器研发，通过氮化镓材料特性实现音质清晰度与 散热效率提升，同时缩减电路板，推动音频设备向高效、紧凑化演进，目前公司用于音 频系统的 100V 氮化镓产品已实现量产出货。（2）在无线充电场景，公司凭借氮化镓器件 对寄生电容与导通电阻的优化，提升开关频率并降低功率损耗，以扩大充电范围与效率， 在手机快充、智能家居及电动汽车无线充电领域形成技术壁垒。（3）针对家电领域，氮 化镓技术在空调电源中实现能效比与降噪表现的双重优化，而在电视电源中则通过散热 效率提升与开关频率增强，进一步缩小变压器体积，直接匹配超薄大屏电视的轻量化设 计趋势。

2.数据中心：积极拓展数据中心布局，与多家厂商展开合作

公司氮化镓分立器件兼具效率及散热需求，针对 PSU 及主板提供矩阵式产品。（1）针对 数据中心前端输入侧——服务器电源 PSU （PFC/LLC）1kW-4kW AC/DC 环节，公司布 局 15 款功率器件、驱动及合封芯片，据充电头网信息，英诺赛科 2KW PSU 采用图腾柱 无桥 PFC+LLC 架构，凭借低 Qg、低 Co(tr)及零 Qrr 等特性突破传统性能边界，实现开 关频率提升与励磁电流设计精简，系统效率达 80 Plus 钛金级能效标准（峰值效率 96.5%）， 功率密度优势显著。（2）在数据中心主板电源应用中，公司提供了 8 款分立和集成芯片， 满足 54V 至 12V 供电环节的高效率高功率密度需求。

英诺赛科推出 GaN 电源新方案，助力数据中心实现 48V—>12V 降压。随着服务器和人 工智能应用的发展，CPU/GPU 的功率越来越高，为了降低传输损耗，传统供电架构已经 从 12V 升级到 48V。受限于服务器内的空间尺寸，需要高功率密度的电源帮助实现从 48V 到 12V 的供电转换。公司 25 年推出两款 48V 四相交错降压电源方案，采用四相交错 Buck 拓扑，集成自研 INS2002FQ 驱动 IC 和 INN100EA035A 双面散热 GaN 器件，系统效率超98%，大幅提升效率，帮助实现低碳、节能发展。

与多家头部数据中心厂商展开合作，GaN 钛金级技术已导入长城电源。在应用端，英诺 赛科根据市场需求开发了多款应用方案，如符合钛金能效的 2KW-4.2KW PSU, 1KW8KW 的高效高功率密度的 48V 转 12V 的 DC-DC 电源解决方案等。在市场端，英语赛科 已经与多家数据中心厂商展开合作。目前，长城电源已在其面向 AI 数据中心的钛金级 电源中采用 Innoscience 氮化镓技术，实现 96%以上的超高电源转换效率，超越全球最 高 80PLUS 钛金级能效标准。

3.工业&机器人：紧抓机器人产业机遇，关节电机驱动产品已实现量产

产品矩阵渗透锂离子电池化成分容设备、电池管理系统、LED 照明、光伏及储能系统以 及电机驱动器及控制器等场景，直击传统硅基方案能效与空间瓶颈。在锂电制造环节， 传统硅基电源模块因体积庞大，需通过长距离高损耗线缆连接电池，导致产线布局冗余、 能耗损失显著，制约客户扩产效率。公司通过“高/低压 GaN 分立器件+紧凑化电池工位布 局”方案，将电源模块直接部署于电池近端，消除线缆传输损耗，显著提升产线空间利用 率及能效水平，助力客户实现制造流程效率提升与用电成本节约。

人形机器人赛道突破，覆盖机器人关节驱动等场景。2024 年，公司紧抓人形机器人产业 爆发机遇，积极布局机器人应用，推出 100V/150V 全系列氮化镓产品，将广泛应用于机 器人的充电、电池电源管理、内部电源转换模块、关节以及灵巧手电机驱动。目前相关 产品已完成参考解决方案开发，正与行业客户合作进行项目开发，其中 100W 关节电机 驱动产品已顺利实现量产。

4.汽车电子：导入国内外多个主机厂客户，晶圆交付数量同比大幅增长

公司产品主要应用于 48V 电源系统及 LiDAR 系统，车载 OBC 高压产品在研。氮化镓产 品具有优良的开关特性及高频率的能力，有助于开发更小更轻的变换器，还能同时通过 减少与电感相关的损耗使其更高效。2021 年获得 IATF 16949 车规级认证后，公司在自动 驾驶车辆 LiDAR 系统的应用进一步增强，其高功率和快速响应能力使得车辆能够实时检 测和识别周围环境中的对象和障碍物，增强行车安全性和自动驾驶体验。此外，公司正 在开发应用于车载充电器的高压氮化镓产品，可提升车载充电器的效率，使设计更加紧 凑且具成本效益。

24 年汽车业务取得重大突破，晶圆交付数量同比大幅增长。公司截止 24 年末拥有禾赛、 速腾等直销客户及其他经销商。2024 年公司新能源汽车业务取得重大突破，24 年完成国 内外多个主机厂客户导入并深化合作，24 年车规晶片交付数量同比增长 986.7%。随着自 动驾驶渗透率提升及车载 LiDAR 前装市场爆发，公司依托车规级认证先发卡位，预计在 智能驾驶硬件标配化进程中将实现份额突破，打开长期成长空间。

5.IDM 护城河显著，技术壁垒&先发优势&客户粘性构筑坚实壁垒

功率半导体性能提升依赖各环节协同，IDM 模式实力优势显现。功率半导体芯片的性能 高度依赖半导体材料的固有特性。材料的带隙、载流子迁移率、电导率和热导率等特性 都将影响性能和应用差异。因此从设计、制造到测试，每个环节自主把控的 IDM 模式在 快速发展的氮化镓功率半导体行业中被证实最为有效，当前全球前五大功率半导体公司 均采用 IDM 模式。

初期即战略性采用 8 英寸晶圆，具备显著成本优势。晶圆尺寸历经 40 年迭代，从 6 英 寸、8 英寸演进至 12 英寸，核心逻辑始终是通过在晶圆上获得更多的器件，从而降低成 本。目前业内氮化镓厂商多停留在 4/6 英寸晶圆阶段，英诺赛科凭借前瞻性战略直接布 局 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆，其单片器件密度较 6 英寸提升 80%，形成显著成本优势。

公司自主保障供应链稳定性，产线专注氮化镓成本效益释放。从 6 英寸升级至 8 英寸需 要重新开发新量产工艺和技术，而公司在这方面具有明显的先发优势。作为全球首家实 现 8 英寸 GaN 晶圆量产的 IDM 厂商，公司珠海与苏州基地双基地布局形成产能护城河， 截至 2024 年末已突破每月 13,000 片晶圆产能，形成规模化交付能力，并计划在 5 年内 将产能提升至每月 7 万片。英诺赛科专注氮化镓单一技术路径，集中资本开支与研发资 源，深度优化 GaN 外延生长、器件设计及封装工艺，避免多技术路线并行导致的资源分 散与效率损耗。公司自主把控设计、制造全流程，晶圆良率超 95%，显著降低单位成本 并规避代工供应链波动风险。2024 年，公司推出 3.0 高低压工艺及车规/合封器件平台， 单位晶圆芯片（Chip/Wafer）产出量较上一代产品提升 30%以上，芯片关键性能指标进一 步提升。

除 8 英寸量产技术的先发优势外，英诺赛科在产品组合/封装技术/可靠性方面具备显著 优势。在产品组合方面，英诺赛科是全球唯一具备全电压谱系量产能力的硅基氮化镓半 导体公司，产品可用于各种低中高电压应用产品。在封装技术方面，公司针对氮化镓器 件特性，在全球率先开发出 TO252 等封装解决方案，其散热性和可靠性有助于氮化镓应 用领域向电源和汽车电子拓展，此外公司亦进行 WLCSP 等先进封装的开发。可靠性方 面，公司将可靠性测试时间从行业规定的 1000 小时延长至 3000 小时，晶圆良率超 95%。

先发优势与客户粘性，技术代差构筑长期壁垒。英诺赛科 8 英寸 GaN 技术领先形成强壁垒，新进入者或需 9 年实现全规模量产，且客户验证周期长、替换成本高，先发优势显 著。同时，6 英寸氮化镓功率半导体 IDM 模式企业若计划转向生产 8 英寸也需时数年及 大量资金的投入，才能实现产品良率 90%以上的规模化生产。截至 25 年，公司 GaN 器 件已导入多家服务器厂商及新能源车企，IDM 模式满足客户需求，叠加封装创新与成本 优势，构建“性能-可靠性-价格”三重护城河。客户粘性驱动份额巩固，在 AI 供电、汽车 电子等高壁垒市场，中长期增长潜力较为明确。

6.合作 ST 意法彰显供应链韧性，产能利用率提升驱动盈利能力上行

与意法半导体签署氮化镓技术开发与制造协议，产能互换有望提升供应链韧性。技术层 面，双方联合开发计划加速高性能氮化镓功率技术的迭代，补足 ST 在硅基、碳化硅外的 第三代半导体布局，同时强化英诺赛科在高压、高可靠性场景的技术突破能力。同时， 与 ST 的海外产能形成互补，英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体 可借助英诺赛科在中国的制造产能。

Design-in 及 design-win 表现优异，有望带动收入可持续增长。在半导体领域，采用 IDM 模式的公司会在产能增加的同时，产生大额前期资本之处及研发开支，因此不可避免地 面临一定数额的前期亏损。公司有望随着氮化铝功率半导体在各下游应用的渗透实现业 绩增长，同时巩固在消费电子市场的稳健地位，并旨在电动汽车和数据中心及其他领域 获取更多客户，提高产品渗透率从而实现收入大幅增长。从 design-in 和 design-win 进程 来看，公司 design-in 及 design-win 数量持续增长，且公司预计 2024 年下半年至 2026 年 底可获得 185 个新的 design-in 项目。

产能提升带动规模效应，公司有望迎盈利拐点。随着 design-win 项目及客户增加，公司 预计产能利用率将在 25-26 年逐步上升至 85%-90%，且扩充产能的利用率将超过 90%。 产能规模和利用率的提高同时也将带动运营效率的提高，据公司销售成本拆分，工程及 维护、折旧摊销、封测、材料占据主要成本，其中工程维护和封测成本为相对刚性成本， 将随产量提升大幅降低，材料成本亦将随产量提升小幅降低。据公司招股说明书数据进 行测算，公司 24H1 的单位晶圆成本已随着产量提升有显著下降趋势。