英诺赛科发展历程、股权结构及核心竞争力在哪？

IDM 模式运营成本可控，制造良率行业领先。

1.推动氮化镓功率半导体行业创新的全球领军企业

英诺赛科是全球首家实现量产 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆的企业，同时也是全 球唯一具备全电压谱系的 GaN-on-Si 产品量产能力的公司。2015 年，英诺珠海成立后作 为小规模生产基地运营，为集团的核心产品及相关技术提供了研发基础，英诺珠海现为上 市公司的全资附属公司。基于公司在英诺珠海积累的研发和小规模生产的成功，2017 年 为扩大产能，公司在苏州正式成立。2024 年 12 月公司登陆港交所上市，2025 年 3 月公 司入选恒生综合指数成分股，纳入港股通。

公司股权结构稳定，管理层具备丰富的从业经验。截至 2024 年末，根据 ifind 的数据，按 最终控制人统计，公司实际控制人 Weiwei Luo 持有公司 28744.9 万股，占总股本比例 32.70%。根据公司招股说明书，公司创始人、董事长兼执行董事 Luo 博士在创办公司前 一直从事科学研究，具备丰富的经验。公司的首席执行官兼执行董事吴金刚博士在加入公 司之前，曾任职于中芯国际，其最后担任的职位为技术研发副总裁。

氮化镓（GaN）功率半导体行业的主要上游供应商包括原材料及设备供应商，中游的 GaN 功率半导体厂商负责器件的设计、制造和封测，下游则应用于消费电子、新能源汽车、数 据中心和光储等领域。公司采用 IDM 模式，产业链各个环节做到自主可控，公司的晶圆、分立器件、集成电路以及模组产品为客户提供了强劲可靠的 GaN 解决方案。公司的 GaN 功率器件产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖15V-1200V的GaN工艺节点。

2.公司的三大核心竞争力

目前在硅基半导体领域，主要有 Fabless 和 IDM 两种模式。IDM 模式是一种垂直整合型 商业模式，即企业自行设计芯片，并将自行生产加工、封装、测试后的成品进行销售。根 据弗若斯特沙利文，全球前五大功率半导体公司均采用 IDM 模式。从商业模式来看，前 几大 GaN 厂商多采用 Fabless 模式运营，而公司采用 IDM 模式。目前多数海内外 GaN 厂商收入规模、产品数量仍相对较小，多采用轻资产模式运营，借助代工厂工艺平台设计 产品。公司率先采用 IDM 模式运营，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试于一体， 拥有全球最大的 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆的生产能力。

2.1 成本优势：IDM 模式运营成本可控，制造良率行业领先

我们认为公司采用 IDM 的优势主要在于：一方面，IDM 模式能够更好地保障产能和供货 时间；另一方面，IDM 模式的产能和议价能力不会受限于代工厂。根据弗若斯特沙利文的 数据，2023 年全球 GaN 功率半导体市场中，6 英寸及 8 英寸 GaN 的市占率分别为 66.3% 及 33.7%。公司是全球首家实现量产 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆的企业，苏州工厂是全球最 大 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆制造厂。全球其他主要的 GaN 功率半导体公司如 EPC、英飞 凌、Navitas、Power Integrations 等公司提供 6 英寸产品为主。根据弗若斯特沙利文的数 据，2023 年，公司在全球 GaN 功率器件公司中排名首位，市占率为 33.7%。

公司的制造工艺的持续改进，通过完善 GaN-on-Si 外延生长工艺，能够持续生产出高均 匀、无裂纹、低晶格错配密度及低缺陷的晶圆。根据公司招股说明书，公司的生产工艺已 经实现了超过 95%的良率，高于其他 GaN功率半导体公司的平均良率水平（90%-95%）。

常见的晶圆尺寸大小为 6 英寸、8 英寸、12 英寸等，换算成 mm 分别是 150mm、200mm、 300mm，这里的长度指的是晶圆的直径。12 寸的直径是 8 寸晶圆直径的 1.5 倍，12 寸晶 圆的面积为 8 寸晶圆的 2.25 倍。公司凭借着在 8 英寸硅基氮化镓先进的工艺技术，其 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆具有更多的有效面积、更高的生产效率及低成本等优势，与传统的 6 英寸晶圆相比，每晶圆的晶粒产出数提升 80%，单颗芯片成本降低 30%。 GaN 半导体产业链涵盖衬底、GaN 外延、器件设计及制造等多个环节。根据与非网的数 据，以 GaN-on-Si 器件为例，其 Die 生产成本构成中，衬底成本、外延片成本、制造+封 测成本以及良率损失成本分别占比约 7%、50%、23%和 20%。外延片制造环节成本占据 整个 Die 生产成本近一半，成为 GaN 产业链中的关键工艺，公司的产业链布局涵盖了从 GaN 外延生长到晶圆制造和器件封装等环节。

2.2 产能优势：先发优势，具备全球领先的规模化供应能力

先进的生产设施对于提高产品质量和工艺迭代至关重要。公司的大部分机械和设备均实现 了高度自动化，能够显著提高制造效率并降低人工成本。苏州工厂自投产以来产能迅速爬 坡，苏州工厂的产能由 2021 年的 1.8 万片增长至 2023 年的 4.8 万片，截至 2024 年上半 年，苏州工厂的产能扩大至 4.9 万片。珠海工厂的产能由 2021 年的 3.0 万片扩大至 2023 年的 4.5 万片，截至 2024 年上半年，珠海工厂的产能为 2.4 万片。

由于苏州工厂产能大幅增加，苏州工厂的产能利用率由 2021 年的 92.0%降至 2022 年的 79.8%，2023 年苏州工厂的稼动率回升至 86.0%。1H2024 随着 GaN晶圆产品需求增加， 珠海基地的产能利用率提升至 74.8%。截至 2024 年末，根据公司公告，公司拥有全球最 大的 GaN 功率半导体生产基地，产能为每月 1.3 万片晶圆。

港股上市融资净额约 13 亿港元，扩大 8 英寸晶圆产能优势。根据 Wind 的数据，公司本 次在港股发行 4536.40 万股 H 股，募资资金净额约 13.02 亿港元（按发行价 30.86 HKD 计算）。募集资金净额约 60%将用于扩大 8 英寸 GaN 晶圆产能，（从截至 2024 年 6 月 30 日的每月 12500 片晶圆增加至未来五年的每月 70000 片晶圆）；约 20%将用于研发及扩 大产品组合，用来提高终端市场中 GaN 产品的渗透率。

2.3客户和技术优势：携手合作伙伴做大做强氮化镓赛道

公司产品覆盖 15V-1200V 的广泛电压范围，覆盖范围行业领先。目前，公司已与 OPPO、 Vivo、小米等知名手机厂商，安克创新、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商， 以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品 InnoGaN 也在手机 OVP、 快充、车载激光雷达、车载 PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、 BMS 电池管理、储能双向变换器、光伏微逆等产品中大批量量产。

根据半导体器件应用网的数据，美国宣布对全球包括中国在内的多个国家追加“对等关税”， 将中国商品综合税率推升至 54%。中国随后反制，扩大关税覆盖面并收紧部分关键材料 出口。美国虽然日前又宣布暂时豁免进口电子产品的“对等关税”，但很快又澄清此举仅 属暂时措施，很快就会宣布针对半导体适用税率。美国的反复无常将地缘政治风险和全球 制造成本再次推上台面。对于高度依赖全球制造网络的半导体行业而言，这一轮政策调整 不仅抬高了成本，也将“在哪里制造”成为影响定价结构与交付路径的核心变量。 几乎所有半导体产品的制造与交付路径都高度全球化。一旦制造地进入关税敏感区，背后 的成本结构就可能会被政策直接改写。过去IDM体系内部的制造资源几乎都是自用闭环， 即使偶有产能共享，也多集中于封测环节。此次合作直接打通的是前端晶圆制造，在晶圆工艺、质量认证、产线标准化方面必须高度对齐。半导体器件应用网指出，跨 IDM 之间 的制造背书尚属首次，ST 与公司的合作，不只是产能补位，而是在制造路径地理分布与 工艺层结构层面，为“制造自由”提供了一个现实可行的操作样本。即在 IDM 之间，只要标 准一致、认证互通，也可以实现跨制度、跨区域的产线协同。不仅缓解了个体产线负荷问 题，更建立起在全球制造不确定性加剧背景下，一种具备可调性与可背书能力的交付体系。