铖昌科技产品布局亮点体现在哪？

星载产品保持优势，地面及其他产品品类拓展顺畅。

1.星载T/R芯片壁垒高筑，公司技术优势长期保持

公司长期深耕星载相控阵 T/R 芯片领域，技术底蕴深厚，配套经验丰富。公司具备多年星 载相控阵 T/R 芯片配套供货经验，具备较强的技术实力和完善的产品体系，并且率先完成 了星载及地面用模拟波束赋形芯片的迭代定型，为后续切入卫星互联网领域提供了坚实基 础。2022 年以来公司充分发挥技术创新优势，成功推出星载和地面用卫星互联网相控阵 T/R 芯片全套解决方案，公司 2022 半年报中披露目前已与多家科研院所及优势企业开展合作， 现已进入批量生产阶段，预计下半年将持续交付，从元器件层面助力我国卫星互联网快速、 高质量、低成本发展。

星载芯片技术难度大，公司先发优势明显，高强度研发投入将持续保持技术优势。星载芯 片较常规芯片在功耗、体积、重量、温宽和抗辐照等方面有更高要求，同时由于不可维修 性，其寿命周期和质量都有更严苛的指标，因此技术壁垒更高。同时新进玩家很难实现技 术积累和经验获取。公司 2017 年成功推出星载相控阵 T/R 芯片，在某型号卫星中已实现大 规模应用。目前公司已完成该型号组网卫星的多颗卫星配套相控阵 T/R 芯片的出货，产品 已在卫星上稳定运行较长时间，未出现异常问题。几年的供货经验使得公司在技术积累和 经验方面具备显著优势，同时高强度的研发投入也使得公司持续保持技术优势。

募投项目有效扩充星载芯片产能，助力公司畅享卫星互联网建设红利。公司一直以来积极 布局卫星互联网领域的星载 T/R 芯片产品，募投项目中投入 1.09 亿元用于卫星互联网相控 阵 T/R 芯片研发及产业化项目。募投项目建设将帮助公司实现发展战略，加强卫星物联网 相控阵 T/R 芯片的研发生产能力，应对卫星互联网产业链掘金新机遇，并且带来业绩的新 增长点。

2.地面产品增速快，下游新领域拓展效果明显

公司可依托星载 T/R 芯片的技术优势快速向其他平台拓展。地基雷达对于芯片部分规格要 求低于星载芯片，同时也不需要考虑抗辐照等相关指标，因此公司基于星载芯片技术向地 面芯片技术的拓展难度较低。目前地面相控阵 T/R 芯片已成为当前公司业绩的主要增长点 之一，2021 年公司地面产品的营业收入为 3946.15 万元，同比增长 505.65%，2022H1 公 司地面相控阵 T/R 芯片实现营业收入 5,690.14 万元，占总营业收入比例为 49.73%，同比 增长 65.89%。随着武器装备信息化升级和相控阵雷达的普及，地面雷达以及弹载雷达的需 求量不断提升，未来地面 T/R 芯片的需求将快速放量。

募投项目提升公司产能，打破公司地面及其他领域供货瓶颈。公司募投项目中的新一代相 控阵 T/R 芯片研发及产业化项目主要目标是丰富产品种类以扩大收入来源。除公司目前的 核心产品星载相控阵 T/R 芯片外，市场对机载、舰载、车载和地面应用相控阵雷达的需求 也持续增长。通过募投项目的实施，公司产能和供给能力将有效提升，为后续拓展市场和 客户奠定基础。

3.技术创新持续，氮化镓工艺具有先发优势

为应对相控阵领域技术密集、迭代迅速，公司注重研发投入以及研发人员的激励机制。2019 年-2021 年公司研发投入分别为 872.70 万元、2,705.98 万元、2,978.96 万元，研发费用率 为 6.58%、15.47%、14.12%。2022 前三季度公司研发费用 1,935.17 万元，费用率 15.34%。 截至 2022 年 6 月 30 日，公司拥有专业技术人员 81 人，占公司人员总数比例为 45.5%。 公司重视核心研发人员的激励措施，公司对核心技术人员实行综合考核激励机制，将核心 项目管理人员及研发技术等人员的薪酬与公司的研发任务及贡献挂钩，并同时结合股权激 励方式鼓励核心技术人员积极进行研发创新。

公司建立高效的研发体系，力争持续提升研发能力与效率。围绕产品功能设置研发中心组 织架构，划分为功放组、低噪放组、砷化镓多功能组、硅基多功能组及测试组，依靠研发 中心各职能部门的内部协作，整合不同项目下具有共性的研发需求，实现研发效率最大化。

公司解决了相控阵 T/R 芯片技术难点，技术优势明显，在研项目饱满。公司自成立以来， 专注于相控阵 T/R 芯片设计开发，经过多年的研究和技术攻关，形成了多项核心技术，突 破了相控阵 T/R 芯片在性能、体积、成本等问题上面临的挑战，掌握了实现低功耗、高效 率、低成本、高集成度的核心技术。目前公司有多项在研项目，并且公司积极参与多项国 防重点型号的研制任务、国家“核高基”重大专项任务、国家重点研发计划项目，在星载、 机载、舰载、车载和地面相控阵雷达等领域争取新的技术突破，随着相控阵雷达应用比例 不断提升，公司产品的市场空间也在不断增大。

公司在氮化镓工艺上有先发优势，参股集迈科保障公司芯片流片渠道自主可控。GaN 功率 放大器芯片具有宽禁带、耐高压、耐高温、高功率密度等多方面优势，可满足高功率相控 阵雷达的应用场景，是行业未来重要发展方向之一，目前公司主营产品中的功率放大器芯 片已由传统的砷化镓工艺向高性能的氮化镓工艺过度发展。参股公司集迈科主要从事高可 靠性射频微系统（含微波组件）和氮化镓器件等产品的工艺开发、流片代工以及特种封装 业务等，公司以参股投资集迈科的方式大力提高公司集成电路主业的核心竞争力，扩充公 司的流片渠道，有助于构建完整的自主可控芯片流片和设计产业链，提升综合竞争力。

公司 GaN 芯片已开始批量供货，后续有望快速发展。经过持续研发设计迭代，公司 GaN 功率放大器芯片在 2022 年上半年首次实现规模应用，列装于大型地面相控阵雷达装备。此 外针对超宽带相控阵应用场景，公司新研了多倍频 CMOS 多通道波束赋形芯片和 GaN 功 率放大器芯片为代表的超宽带相控阵套片产品，实现多项关键技术突破，具备抗干扰、低 截获、高分辨率等多方面优势，可应用于通信、探测、电子干扰等多场景，进一步拓展公 司产品类型，提升公司产品竞争力。