铖昌科技发展策略是什么？

铖昌科技专注打磨技术及丰富产品矩阵。

1、产品端：产品矩阵丰富，可满足下游多样化需求

丰富的产品可以满足各领域下游客户的需求。相控阵 T/R 芯片是相控阵雷达的 核心元器件，应用场景多元，包括星载、地面、车载舰载相控阵雷达等，不同应用 场景对产品的性能要求截然不同，企业需要根据不同的应用场景设计符合客户需求 的产品，这对新进企业的产品开发和设计能力提出了很高的要求。经过多年研发， 公司产品已广泛应用于星载、机载、舰载、车载及地面相控阵雷达等多种型号装备 中，特别是公司推出的星载相控阵 T/R 芯片系列产品在某系列卫星中实现了大规模 应用，芯片的应用提升了卫星雷达系统的整体性能，达到了国际先进水平。

与此同时，公司加快拓展新兴领域业务。 卫星互联网领域，公司充分发挥技术创新优势，成功推出星载和地面用卫星 互联网相控阵 T/R 芯片全套解决方案。 Ku 波段（12~18GHz）主要应用于卫星通信领域，尤其是用于直播卫星电视广播 的下行链路，以及用于国际空间站（ISS）通信的跟踪数据中继卫星和星链（SpaceX Starlink）卫星等特定应用，此外 Ku 波段雷达还常用于机场表面探测设备（ASDE）。 相比于频率更低的频段，Ku 波段波长更短，因此天线物理尺寸更小，分辨率也更高。 近些年由于有源相控阵技术的发展，Ku 波段的相控阵 T/R 套片需求也日益增长。

公司针对应用于 Ku 波段的T/R套片产品进行了深入的研究，开发了 GaAs/GaN 功放芯片、GaAs 收发前端芯片、GaAs低噪放/限幅低噪放芯片、GaAs 限幅器芯片、 GaAs/硅基波束赋形芯片等，套片产品拥有灵活的设计架构，覆盖多种功率量级，具 有优异的性能指标。

毫米波通信方面，5G 毫米波通信方面，公司已经和主流通信设备生产商建 立了良好的合作关系，支撑 5G 毫米波相控阵 T/R 芯片国产化。 目前公司产品已覆盖 L~W 波段各类典型应用，产品涵盖 GaN/GaAs 功率放大器、 GaAs 低噪声放大器、GaN/GaAs 收发前端芯片、GaAs/硅基幅相控制一体化多功能芯 片、GaAs/GaN 开关芯片、GaAs 限幅器芯片等全套相控阵 T/R 前端芯片产品，并已成 功应用于各类星载、机载、陆基平台，累计芯片出货量近百万颗。在出货量最大、 应用最为广泛的 X 波段 T/R 套片产品方面，公司在研发和生产方面积累了丰富的经 验，套片产品拥有灵活的设计架构，覆盖多种功率量级，具有优异的性能指标。

2、技术端：专注研发，致力于自主可控及降低成本

公司自成立以来，专注于相控阵 T/R 芯片设计开发，经过多年的研究和技术攻 关，形成了多项核心技术。公司自成立以来一直致力于推进相控阵 T/R 芯片的自主可控。公司在产品研发过程中，把握行业发展趋势并提前进行技术布局，聚焦复杂应 用场景下相控阵 T/R 芯片先进架构方案设计及产品研发，研发出多项自主可控核心 技术。公司产品涵盖整个固态微波产品链，包括功率放大器芯片、低噪声放大器、 收发多功能芯片、幅相控制芯片、模拟波束赋形芯片、数控衰减器、数控移相器、 数控延时器、限幅器、功分器、开关芯片等十余类高性能微波毫米波模拟相控阵芯 片，工艺制程范围在 40nm-500nm 间，能够提供各典型频段的微波毫米波模拟相控阵 系统芯片解决方案。

通过高精度测试及模型修正、可靠性提升及试验验证等技术手 段， 2017 年成功推出星载相控阵 T/R 芯片，在某型号卫星中已实现大规模应用。 目前，公司已完成该型号组网卫星的多颗卫星配套相控阵 T/R 芯片的出货，产品已 在卫星上稳定运行较长时间，未出现异常问题。公司获得了卫星总装单位对公司星 载产品的应用证明，对公司产品高度评价：“该系列芯片的研制对卫星系统成功研制 并达到指标要求意义重大，对加快我国星载大规模有源相控阵领域发展具有里程碑 的作用”“芯片的功率附加效率和接收功耗控制水平属国际领先”。

公司所研制的芯片兼具低成本及高性能等特点，产品通过严格质量认证，质量 等级可达宇航级。公司经过多年技术与行业积累，突破了相控阵 T/R 芯片在性能、 体积、成本等问题上面临的挑战，掌握了实现低功耗、高效率、低成本、高集成度 的相控阵 T/R 芯片的核心技术，形成多项经过客户使用验证的关键核心技术，包括 高性能微波功率放大器设计技术、相控阵芯片高成品率分析及优化技术、高性能低 噪放芯片技术、基于 MESFET 器件的限幅器电路设计技术、拟波束赋形芯片技术、宽 频带幅度相位电路设计技术等。 此外，公司募投项目“新一代相控阵 T/R 芯片研发及产业化项目”也将聚焦技 术及规模化生产两大方向，以降低相控阵 T/R 芯片的成本。