CMOS工艺流程与MOS电路版图举例.pptx
- 上传者：v*****
- 时间：2023/07/27
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CMOS工艺流程与MOS电路版图举例。光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。本课件是针对电子信息行业所编写的，旨在为电子信息行业提供关于CMOS工艺流程方向更为专业的指导和建议。
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