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  • 东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板.pdf

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    • 2023/06/30
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    • 东吴证券

    东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新,持续丰富产品矩阵,目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT、SiC器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域,以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增,公司营收持续快速增长,22全年、23Q1营收分别为11.2亿元、3.0亿元,同增43%、47%。盈利能力方面,受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因...

    标签: 东微半导 功率器件
  • 东微半导(688261)研究报告:高性能功率器件的技术引领者.pdf

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    • 2022/12/29
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    • 国信证券

    东微半导(688261)研究报告:高性能功率器件的技术引领者。东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司,18-21年公司扣非归母净利润年均复合增速达95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新,拥有多项半导体器件核心专利,以高压超级结MOSFET为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司18-21年进入高速成长期,营业收入年均复合增速为72.3%;扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。超级结MOSFET国产化率仍低,汽车、新能源与5G等应用带来功率器件增量需求。超级结MOSFET是突破“硅极限”的高端功率器件,目前国产化率仅18%,有较大的存量...

    标签: 东微半导 功率器件
  • 东微半导(688261)研究报告:高压MOS龙头,TGBT开启新成长曲线.pdf

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    • 2022/12/19
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    • 国金证券

    东微半导(688261)研究报告:高压MOS龙头,TGBT开启新成长曲线。高压MOSFET龙头,深度受益新能源快速发展。公司深耕高性能功率器件领域,产品主攻工业和新能源汽车相关等中大功率的应用。短期来看,我们看好新能源车、充电桩、光伏及储能逆变等下游的旺盛需求;中长期来看,公司凭借差异化设计、丰富的料号和出色的产品性能有望在和国内同行的竞争中保持领先优势,在国产替代进程中实现市占率的提升。高压超级结、中低压屏蔽栅MOSFET性能优异,国产替代市场空间广阔。高压超级结MOSFET主要下游应用为直流充电桩、OBC、光伏储能逆变器、服务器电源等,中低压屏蔽栅MOSFET主要下游应用为电动工具、逆变器...

    标签: 东微半导
  • 东微半导(688261)研究报告:结构创新缔造汽车工控领域功率之“芯”.pdf

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    • 2022/12/17
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    • 方正证券

    东微半导(688261)研究报告:结构创新缔造汽车工控领域功率之“芯”。深耕MOSFET十余年,延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT,覆盖0~1350V电压及0~300A电流;下游应用聚焦在工业级和消费级领域,2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产,打破国际垄断;同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。具备从专利到量产的完整经验,高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显;较...

    标签: 东微半导 工控 汽车
  • 东微半导(688261)研究报告:专注自主技术创新,打造本土功率龙头.pdf

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    • 2022/12/08
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    • 广发证券

    东微半导(688261)研究报告:专注自主技术创新,打造本土功率龙头。本土高端功率器件龙头,业绩高速增长。公司采用Fabless经营模式,业务范围以超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、TGBT和超级硅产品为主。凭借在高性能功率器件领域扎实的技术积淀、优质的产品性能和广大的客户基础,持续加大工业级与汽车级领域产品占比,持续实现业绩高速增长。功率器件下游需求旺盛,国产替代加速进行。“双碳”驱动新能源领域半导体功率器件需求,将拉动高压领域的超结MOSFET与IGBT的市场规模。目前高端功率器件国产渗透率仍处低位,我国作为最大下游需求市场,国产替代空间将被进一步打开,本土功...

    标签: 东微半导 技术创新 创新
  • 东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业.pdf

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    • 2022/06/21
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    • 华泰证券

    东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业。受益于新能源汽车加速渗透,我们测算2021-25年全球充电桩、新能源汽车超级结MOSFET市场规模CAGR分别为34.9%/30.8%,处于高速增长阶段。作为超级结MOSFET国产替代先锋,我们认为东微三大核心竞争优势将助力其把握超级结MOSFET中的高成长性细分领域,并不断稳固龙头地位:1)料号丰富,21年底公司MOSFET料号数达1,791款。产品优值及性能比肩英飞凌,领先国内竞争对手;2)研发团队实力雄厚,21年人均创收逾千万行业领先;3)受益于核心供应商华虹的12寸产能持续扩张,并积极开拓广州粤芯、DBHitek等供应商保障产...

    标签: 东微半导 功率器件
  • 东微半导(688261)研究报告:国内中高压功率器件破局者,看好公司工业领域及车规级产品持续渗透.pdf

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    • 2022/06/20
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    • 中国银河证券

    东微半导(688261)研究报告:国内中高压功率器件破局者,看好公司工业领域及车规级产品持续渗透。国内功率半导体器件龙头企业,产品技术领先,品类齐全。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的企业,核心产品包括:高压超级结MOSFET,中低压屏蔽栅MOSFET,Tri-gateIGBT,应用下游行业主要为工业及汽车相关等中大功率应用领域。根据Omdia数据,国内功率MOSFET市场约30亿美元,市场份额前10的公司国内厂商份额占比仅为12%,而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约45%,国产厂商具备较大替代市场空间。公司主要产品已具备国内或海外领先技术水平,是少数在中高压超级结MOSFE...

    标签: 东微半导 功率器件
  • 东微半导(688261)研究报告:高压超级结MOS龙头,发力IGBT打开成长空间.pdf

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    • 2022/05/09
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    • 中信建投证券

    东微半导(688261)研究报告:高压超级结MOS龙头,发力IGBT打开成长空间。公司主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS和FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、以及TGBT系列IGBT产品,应用领域包括以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。功率半导体产业结构性缺货,作为超级结MOSFET龙头,公司产品供不应求。超级结MOSFET作为中大功率段高性能电能转换系统的核心器件,充分受益于全球新能源产业的高速发展...

    标签: 东微半导 IGBT
  • 东微半导(688261)研究报告:中高压功率器件创新者,专注汽车、工业蓝海市场.pdf

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    • 2022/03/30
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    • 民生证券

    东微半导(688261)研究报告:中高压功率器件创新者,专注汽车、工业蓝海市场。东微半导:国内高压MOSFET领军,四大品类齐发力:公司拥有高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET和TGBT四大品类,MOSFET产品达1700余种,IGBT产品154款。且公司募投规划持续研发SiC器件、新型硅基高压功率器件等。据Omdia,2020年公司占全球高压超级结市场的份额为3.8%,占中国高压超级结市场份额约为8.6%,为国内龙头,且为华虹半导体高压MOSFET大客户。据业绩快报显示,2021年公司实现营收7.8亿元,同比增长153.28%。且得益于毛利率提升,以及期间费用...

    标签: 功率器件 东微半导
  • 东微半导(688261)研究报告:高性能功率器件龙头,汽车电动化和工业4.0驱动长期成长.pdf

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    • 2022/03/28
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    • 华鑫证券

    东微半导(688261)研究报告:高性能功率器件龙头,汽车电动化和工业4.0驱动长期成长。根据Omida预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美金。在碳中和背景下,新能源车、光伏、风电、储能等领域市场快速发展,相应的功率半导体市场快速增长。从竞争格局来看,功率半导体芯片和模块,主要市场被英飞凌、安森美、意法半导体等欧美厂商占据,全球龙头英飞凌2020年在MOSFET和IGBT领域市占率分别为24.4%和29.3%,单一本土厂商占比均小于5%,国产替代空间巨大,叠加行业内生的快速增长,中国厂商尤其高性能器件的本土公司将在庞大的蓝海市场充分...

    标签: 功率器件 汽车电动化 工业4.0 东微半导
  • 半导体行业之东微半导(688261)研究报告:国内高压MOSFET龙头,创新IGBT结构拓宽产品线.pdf

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    • 2022/02/17
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    • 招商证券

    东微半导作为国内高压超结MOS龙头,全球高压MOS市占率高达8.6%。在充电桩/5G基站电源/车载OBC等下游领域高速放量推动下,未来高压超结MOS市场将迎来高速成长。产能端来看,公司受益于华虹12英寸功率产能扩充,并积极拓展DBHitek和广州粤芯等晶圆厂,同时新品超级硅MOS和创新结构IGBT开始逐步放量,未来成长空间有望进一步打开。

    标签: 半导体 MOSFET IGBT 东微半导
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