东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板.pdf
- 上传者:红四方
- 时间:2023/06/30
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东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。公司重视 底层器件结构创新,持续丰富产品矩阵,目前已覆盖高压超级结 MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET、TGBT、SiC 器 件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业 及通信电源为代表的工业级应用领域,以及以手机快速充电器、电源为 代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增,公司营收持续快 速增长,22 全年、23Q1 营收分别为 11.2 亿元、3.0 亿元,同增 43%、 47%。盈利能力方面,受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价 等综合因素影响,同时通过数字化手段不断提升运营效率,公司毛利率、 净利率持续提升。
MOSFET:高压 MOSFET 市场快速增长,公司产品性能比肩国际龙头。 伴随车载 OBC、充电桩等下游高压领域需求增长,高压 MOSFET 将迎 快速增长,根据电子发烧友,2021 年全球中低压(<400V)和高压 MOSFET(>400V)市场规模分别约 71 亿美元、42 亿美元,21-26 年全 球中低压、高压 MOSFET 市场规模 CAGR 分别约 4%、12%。公司超级 结 MOSFET 产品性能国内领先、超级硅 MOSFET 产品性能国际先进, 并持续扩大高压超级结 MOSFET 在光伏逆变、储能应用、UPS 领域的 业务,成功替换 IGBT 并且明显提升系统效率,出货呈现迅速增加态势, 未来有望深度受益下游大客户需求高增长。
IGBT&SiC:新能源市场拉动需求增长,公司积极布局。公司独创 Trigate 结构 IGBT 器件,性能国际领先,批量进入光伏逆变及储能、车载 充电机、直流充电桩等领域头部客户供应链,并在新能源汽车主驱应用 领域进入认证阶段。22 年在 SiC 二极管、SiC MOSFET 及 Si2C MOSFET 器件上取得较大研发进展,其中 Si2C MOSFET 进入批量生产阶段、首 次实现营收,实现对采用传统技术路线的 SiC MOSFET 的替代。
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