东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业.pdf
- 上传者:老王
- 时间:2022/06/21
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东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业。受益于新能源汽车加速渗透,我们测算 2021-25 年全球充电桩、新能源汽 车超级结 MOSFET 市场规模 CAGR 分别为 34.9%/30.8%,处于高速增长 阶段。作为超级结 MOSFET 国产替代先锋,我们认为东微三大核心竞争优 势将助力其把握超级结 MOSFET 中的高成长性细分领域,并不断稳固龙头 地位:1)料号丰富,21 年底公司 MOSFET 料号数达 1,791 款。产品优值 及性能比肩英飞凌,领先国内竞争对手;2)研发团队实力雄厚,21 年人均 创收逾千万行业领先;3)受益于核心供应商华虹的 12 寸产能持续扩张, 并积极开拓广州粤芯、DB Hitek 等供应商保障产能。
IGBT 市场空间广阔,TGBT 业务打造第二成长曲线
在超级结 MOSFET 市场规模相对有限的情况下,公司凭借卓越的设计能力 进军 IGBT 市场。根据 Omdia 和我们的测算,2025 年全球 IGBT 市场规模 为超级结 MOSFET 市场规模约 10 倍。公司第一代 650V 创新型 TGBT 芯 片电流密度达国际主流第七代 IGBT 水平。TGBT 产品已于 21 年在光伏逆 变器、储能、充电桩等领域获得客户批量应用,且有大量优质客户处于送测 认证中。凭借出色的产品性能,我们认为 TGBT 业务将为公司打开长期成 长空间,预计该业务营收占比将由 21 年的 0.7%快速提升至 24 年的 16.5%。
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