氮化镓各领域需求情况如何?

氮化镓各领域需求情况如何?

最佳答案 匿名用户编辑于2025/06/06 10:24

氮化镓各领域需求爆发,数据中心&机器人&汽车接力成长。

1、消费电子:端侧 AI 带动快充需求高增,氮化镓器件空间持续扩大

AI 手机渗透率迅速攀升,有望带动智能手机换机趋势。据赛迪顾问数据,2023 年全球新 型 AI 手机的出货量约 5000 万部,预计 2024 年 AI 手机的出货量或将达到 1.5 亿部,占 全球智能手机总出货量 13%,AI 手机渗透率持续提升。到 2027 年,全球 AI 手机销售量 将超过 5.9 亿部,占全球智能手机总出货量的比重超过 50%。在中国市场方面,据 IDC 数据,中国 AI 手机出货量预计在 2027 年达到 1.5 亿部,市场渗透率将超过 50%。

端侧 AI 需更高算力支撑,推动消费电子充电功率和电池容量提升。据 Counterpoint Research 统计,2023 年 Q1 全球智能手机快充 80%以上超过 10W,平均功率超 34W;中 国智能手机品牌平均快充超过 50W,65W 以上快充充电器成为国产高端手机绝对主流, 智能手机市场正快速普及快充技术来应对 AI 功能加入对手机充电功率的更高要求。在 电池容量方面,AI 手机运行大量复杂的程序和算法,为了缩短充电时间,提高充电效率, 更高的充电功率成为必然选择。 搭载 AI 功能的手机充电配置升级,未来 AI 手机渗透有望进一步驱动充电功率提升。以 华为 Mate 系列为例,Mate 系列各款机型的电池容量逐年增加,华为 Mate60(2023 年) 较上一代产品的电池容量最高有约 6.4%的提升。华为 Pro 款机型的充电功率在 2022- 2024 年间大幅提升,Mate60 Pro 的充电功率提升幅度为 33.3%,Mate70 Pro 的提升幅度 为 13.6%,充分体现端侧 AI 发展对智能手机电池容量和充电功率提升的推动作用。

智能手机快充技术持续迭代,行业正迎来材料革新拐点。据快科技,当前终端快充功率 已从 5W 跃升至 240W,realme 最新 300W 闪充方案进入测试阶段(5 分钟满电),核心 驱动逻辑在于:1)用户碎片化充电场景痛点;2)超大容量电池普及(如努比亚红魔 10 Pro+搭载 7000mAh+电池组)。传统硅基材料受制于开关损耗/体积等物理极限制约,难 以适配高压高流趋势。在相同成本的情况下,使用氮化镓解决方案可将 USB-PD 充电器 的体积和重量缩减约 70%,或将充电功率提高约 50%,显著提升充电速度。在智能手机 主板中,氮化镓解决方案能够将电路板面积减少 75%,并将峰值功率器件损耗降低 40% 至 50%。

叠加端侧 AI 对功率需求提升,氮化镓器件的成长空间持续扩大。受消费者偏好潮流及市 场竞争驱动,下游消费电子厂商日益青睐更加集成化、智能化、节能降本的功率芯片。 氮化镓器件作为消费电子核心场景的关键技术,受益于快充小型化、电源模块高密度化 趋势,叠加终端功率需求提升,行业成长空间持续拓宽。

2、数据中心:大模型迭代引领算力需求高涨,GaN 高效性能催化加速落地

大模型加速迭代,算力需求持续高涨。2023 年现象级应用 ChatGPT 引发新一轮 AI 浪潮, 大模型加速迭代,算力需求爆发。据中国信通院《中国算力发展指数白皮书(2023)》,以 GPT 大模型为例,GPT-3 的模型参数约为 1746 亿个,训练一次需要的总算力约为 3640 PF-days,即以每秒一千万亿次计算,需要运行 3640 天;而 GPT-4 参数量可能达到 1.8 万 亿个,训练算力需求上升至 GPT-3 的 68 倍,在 2.5 万个 A100 上需训练 90-100 天,训练 端对算力需求呈现指数型增长。在人工智能、云计算和加密货币等应用的强劲需求推动 下,弗若斯特沙利文预测全球算力规模将从 2023 年的 1,494.9EFlops 增长至 2028 年的 18,282.3EFlops,复合年增长率达 65%,其占全球电力需求的比例预计将从 2023 年的 1.4% 增至 2028 年的 9.4%。 数据中心算力需求逐年提高,催化氮化镓功率半导体在数据中心领域落地。据弗若斯特 沙利文数据,全球数据中心氮化镓功率半导体市场规模将从 2023 年的 0.7 亿元增长至 28 年的 14.62 亿元,CAGR 达 84%。

电源转换效率是数据中心电力消耗的核心限制因素,GaN 高效特性可大幅降低电力浪费。 在典型的数据中心内,必须由功率器件实现电力的多级转换,在初始阶段,在数据服务 器内由功率器件将高压交流电转换为中压直流电,然后由功率器件将中压直流电转换为 低压直流电向 GPU 供电。因此,功率器件对于数据中心的稳定、高效运行至关重要,更 高功率密度的功率器件,可以让 GPU 的计算更加高效。限制数据中心电力大幅增长的一 个关键因素是电源转换效率,传统的硅基电源转换效率较低,导致了高达 10%的功率损 耗。电源转换效率每提高 1%,就能节省数亿元人民币的电力消耗,GaN 基电源的更高 效率能够帮助消除这种浪费。

3、工业&机器人:可实现精准控制并减少开关损耗,有望主导机器人领域

储能装机高增叠加 5G 基建放量,GaN 功率器件迎增长窗口。随着全球储能渗透率提升 及 5G 基站建设加速,电力消耗需求显著增长。据弗若斯特沙利文预计,2028 年全球储 能电池年装机量将达 1,302.5 吉瓦时,2023-2028 年复合年增长率达 46.3%。GaN 技术以 效率重构储能系统经济性模型,推动替代进程加速。根据弗若斯特沙利文数据,全球可 再生能源及工业领域氮化镓功率半导体市场规模将从 2023 年的 0.89 亿元以 78%的年均 复合增速增长至 2028 年的 15.77 亿元。

机器人行业正迈入“AI 驱动+场景泛化”的爆发周期,技术迭代与商业应用共振推动全 球市场持续扩容。英伟达 GR00T N1 等 AI 大模型的规模化部署显著提升机器人感知与决 策能力,推动服务型机器人从单一功能向多场景自主协作升级。特斯拉 Optimus 人形机 器人已实现进厂打工,此外,据医疗器械创新网,截至 2022 年末达芬奇手术机器人累计 完成 1200 万例高精度微创手术。这些看似分散的里程碑事件共同佐证了智能机器人正从 “生产工具”升级为“社会生产力重构者”,其应用边界已从工业焊接、物流分拣等标准 化场景,向医疗手术、家庭陪护、核电站巡检等复杂领域全面渗透。据中商产业研究院 统计,2024 年全球人形机器人产业规模约为 34 亿美元,同比增长 57.41%。预测 2028 年 全球人形机器人产业规模将达到 206 亿美元。

氮化镓电机驱动技术有望主导市场,推动机器人设计向更高能效、更强稳定性和更优智 能化发展。近年来人形机器人应用展现出强劲增长势头,氮化镓器件的特性使其在人形 机器人应用中具有显著优势,能实现更精准的控制、减少开关损耗、尺寸更小,因此能 够满足机器人对高效能、高可靠性和小型化的需求。近期,中国"黑豹 2.0"四足机器人在 电机驱动系统上实现了革命性突破,其核心技术之一是采用了第三代氮化镓(GaN)功率 器件。据集邦化合物半导体,氮化镓器件的应用使得“黑豹 2.0”的电机驱动系统实现了 以下突破: 功率密度大幅提升:功率密度提升至 15kW/kg,达到行业新高,驱动系统更加紧凑 高效。 能效转换效率高达 95%:氮化镓器件的高频开关特性(可达 3MHz)和零反向恢复 损耗特性,有效降低了开关损耗,提升了系统效率。 控制响应延迟压缩至 2 毫秒以内:为机器人提供了更快的动态响应能力,支持其实 现 10 米/秒的极限奔跑速度。驱动系统小型化与轻量化:通过减小器件体积,氮化镓器件助力驱动系统实现了小 型化与轻量化设计。

4、汽车电子:汽车智能化大势所趋,车规功率器件持续高压/高频升级

新能源汽车持续渗透,汽车智能化大势所趋。目前,汽车行业正在经历从传统制造向科 技制造转型的过程中,新能源汽车正潜移默化淡化传统汽车的概念,也让“智能座舱”、 “第三空间”等词汇进入消费者眼球。据中国汽车工业协会数据,2015 年我国新能源汽 车销量为 33.11 万辆,2024 年新能源汽车销量为 1286.6 万辆,CAGR 达 50.18%。渗透率 方面,我国新能源汽车月度零售渗透率(当月新能源汽车销量/当月汽车销量)呈震荡提 升趋势,从 2015 年 1 月的 0.28%提升至 2025 年 2 月的 41.89%。

GaN 在汽车中应用领域广泛,主要集中在动力系统和激光雷达两个领域。(1)动力系统: 在汽车动力系统中,GaN 的应用主要集中在三个方面:更高的功率密度、更高的效率和 可能更低的系统成本。因此,车载 GaN 可应用于 DC/DC 转换器、牵引逆变器、车载充 电器 OBC、车内手机无线充电、无刷直流(BLDC)电机驱动、D 类放大器、辅助电源等 功能。(2)激光雷达方面,窄脉冲、大峰值电流、高功率的氮化镓方案的 Qg、Qoss 等参 数相比硅器件提升1.5~3倍,比早期激光雷达产品开关速度提升13倍,脉冲宽度减小1/5, 为未来 L2+/L3 辅助驾驶中远距离激光雷达识别提供高性能保障。

汽车电动化与高阶智驾渗透率提升,推动氮化镓上车进程加速。800V 电池系统落地,叠 加激光雷达、域控系统等高性能硬件需求爆发,碳化硅与氮化镓技术替代硅基方案趋势 明确,也带动全球汽车电子氮化镓市场规模逐步攀升。据弗若斯特沙利文数据,全球汽 车电子氮化镓市场规模有望从 2023 年的 0.69 亿元提升至 2028 年的 246.37 亿元,CAGR 达 224%。24 年 12 月,罗姆半导体与台积电在车载氮化镓功率器件领域建立战略合作伙 伴关系,保障 GaN 产能问题;据 IT 之家,25 年四月罗姆再次宣布同日本车企马自达开 始联合开发采用氮化镓功率半导体的汽车零部件,争取于 2027 年度投用,有望加速 GaN 上车进程。

参考报告REPORT

英诺赛科研究报告:氮化镓功率半导体龙头,引领三代半能源革命新风向.pdf

英诺赛科研究报告:氮化镓功率半导体龙头,引领三代半能源革命新风向。全球氮化镓IDM龙头,专注第三代半导体技术突破。英诺赛科是全球首家实现8英寸氮化镓晶圆量产的IDM厂商,专注于GaN功率器件研发、制造与销售。作为全球唯一覆盖15V-1200V全电压谱系的氮化镓功率半导体供应商,公司聚焦15V-900V全电压产品线,覆盖消费电子、数据中心、新能源车及工业电源等核心场景,2023年以42.4%市占率位居全球GaN分立器件出货量第一,截至24年末月产能达1.3万片,并计划未来五年内将产能提升至7万片。从消费电子到数据中心&汽车电子,定义功率半导体新标杆。传统硅基材料已接近工艺极限,高效能需求...

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