晶圆代工行业政策、规模及发展方向分析

国内晶圆代工行业屡遭制裁，国家频出政策大力扶持。

国内集成电路产业频遭海外制裁和打压，晶圆代工是重灾区，尤其针对先进制程。近年国内集成电路发展迅速，取得诸多突破，但也 引来海外的多番制裁，晶圆代工先进制程是重灾区，多家公司被列入“实体清单”。  自主突破是最佳选择，国家大力支持，相关支持政策陆续推出。2016年，“十三五”国家科技创新规划提出“形成28-14nm装备、材料、 工艺、封测等较完整的产业链”；2021年，上海先进制造业发展“十四五”规划提出“实现14nm先进工艺规模量产”。

在AI、5G、物联网等趋势的引领下，集成电路行业蓬勃发展，晶圆代工市场也随之持续增长。根据TechInsights数据，2021-2028年， 全球晶圆代工市场规模预计从1115亿美元增长到2199亿美元，年复合增长率10.19%。  晶圆代工重资产、长周期、高壁垒，行业参与者较少，寡头垄断格局明显。晶圆代工属于典型的技术、资本、人才密集型产业，门槛 高，头部效应显著。台积电是全球晶圆代工行业引领者，根据TrendForce数据，2024Q2市占率62.3%，稳居行业第一；三星Foundry紧 随其后，市占率11.5%，位居第二；行业TOP5市占率合计达到89.7%，呈现明显的寡头垄断格局。

半导体制造最显著的发展方向是向更先进的制程持续推进。发展至今，先进制程进一步向前推进的难度高、投入大，国际上坚持投入 7nm及以下先进制程节点的公司屈指可数，仅剩台积电、三星Foundry、Intel（IDM模式，不属于典型的代工模式）等少数巨头。目前， 规模量产的最先进的制程节点是3nm。  关于先进制程节点推进节奏，台积电、三星Foundry、Intel均有详细的技术路线图，均显示要将晶体管微缩至1X埃水平。台积电技术 路线图显示，其计划在2026-2027年推出A16节点；三星Foundry路线图显示，其计划在2027年推出SF1.4制程；Intel Foundry路线图显 示，其14A节点最快于2026年推出。

先进制程进一步向前推进将推动晶体管结构从FinFET逐渐转向GAAFET。FinFET在22nm制程正式商业化，并自16/14nm起成为主流，成功 延续了摩尔定律；随着制程节点扩展到3nm，FinFET对电流的控制能力下降，晶圆厂巨头逐渐转向GAAFET结构，其栅极完全包围着纳米 线/纳米片，具备更强的电气控制能力，可满足晶体管进一步微缩化时对电气性能的苛刻要求。  大厂动态：2022年，三星率先宣布实现3nm制程量产，采用的便是GAAFET结构；台积电在3nm制程依然采用FinFET结构，并将在2nm制程 采用GAAFET结构。

物联网、新能源汽车等对特色工艺需求较大，Foundry厂纷纷布局，特色工艺蓬勃发展。特色工艺泛指除持续向前推进的先进制程以外 的其他应用领域的晶圆制造工艺，应用范围包括功率、射频、电源管理、CIS、显示驱动IC、MCU、MEMS等。先进制程的研发投入大、 周期长，导致仅少数行业巨头可承担工艺节点持续向前推进的巨大成本；先进制程的需求主要集中在智能手机、高性能计算等领域， 物联网、新能源汽车、通信等领域同样存在可观的市场需求，这两大原因共同推动众多行业参与者广泛布局特色工艺。