长鑫科技在HBM领域的研发布局与量产节奏如何？

长鑫科技在HBM领域的布局采取了明确的技术跨越策略与清晰的量产节奏规划。

在技术路线层面，公司采用跳代研发策略，跳过迭代相对落后的HBM2e，直接攻坚HBM3前沿技术节点。自研样品技术水平已接轨国际一线标准，产品可适配昇腾、寒武纪等国产主流AI芯片，支撑国产智算服务器算力部署需求，实现“国产GPU+国产高带宽内存”全链路自主可控。

在产品验证进度方面，2026年6月22日，长鑫存储自主研发HBM3高带宽内存样品完成国内头部云厂商首轮适配验证，标志着国产高端AI存储商业化进程取得关键突破，有望打破海外厂商长期垄断，补齐国内信创AI算力产业链核心短板。

在量产节奏规划上，公司计划于2026年底启动HBM3小规模试产，并在2027年实现规模化投产。随着国内HBM产能逐步释放，国内AI算力基础设施供给约束将得到显著缓解，有效压降信创智算中心建设成本，加速国内AI算力全产业链国产化落地。这一前瞻布局为公司打开了远期成长天花板。