金刚石散热如何突破两相液冷商业化落地的温度瓶颈?

在两相液冷技术中,冷却工质的相变需要足够的温度驱动。然而,主流芯片封装方案由于热阻堆栈过高,导致热量传递至外部时温度大幅下降,无法在常压下使冷却液沸腾,限制了高效两相液冷的应用。请问金刚石材料是如何通过改变热阻结构来解决这一问题的?其对数据中心能效和算力密度有何具体影响?

最佳答案 匿名用户编辑于2026/08/14 09:30

金刚石散热突破两相液冷瓶颈的核心在于重构热阻堆栈。在传统主流封装方案中,硅衬底、热界面材料、IC均热片和散热器层层叠加,单位面积总热阻高达55mm²·K/W。这种高热阻导致热量在内部形成“温度瀑布”,当芯片热点温度维持在105℃时,传递至IC均热片背面的温度仅剩69℃,远低于水的常压沸点,无法驱动两相液冷。若强行降低系统压力以促使水在低温沸腾,则会带来蒸汽体积激增和真空泵高能耗等问题。

引入金刚石材料后,通过采用减薄至20μm的硅衬底结合600μm单晶金刚石的方案,可将单位面积热阻显著降低至1mm²·K/W以内。在这种低热阻结构下,当芯片热点温度为105℃时,金刚石衬底背面最高温度可达100℃,平均温度约87℃。这一温度水平足以让水在大于0.7bar的压力下稳定沸腾,从而无需复杂的真空系统即可实现高效的两相液冷散热。

这种技术变革对数据中心具有显著经济效益。根据Akash Systems的数据,采用Diamond Cooling技术的服务器可节约最高100%的制冷电力,并在约49℃的环境温度下维持高性能运行。同时,GPU和HBM温度降低有助于提升稳定性,带来高达15%的吞吐量提升。这意味着在相同的电力系统下,数据中心可获得更多的计算能力,单台服务器在4年内可创造高达100万美元的额外价值,极大地提升了算力密度和运营效率。

参考报告REPORT

轻工制造行业:芯片热管理新方案,金刚石散热迎来产业化拐点.pdf

芯片功率密度持续攀升致使传统散热方案逼近极限,金刚石材料因具备超高热导率和低热膨胀系数,正成为芯片热管理的新兴解决方案。本报告指出,金刚石不仅能直接替代铜材用于封装均热片,更能通过重构热阻堆栈,将界面温度提升至两相液冷所需的沸腾点,从而解锁高效液冷技术的商业化应用。散热痛点与技术突破随着登纳德缩放定律失效及韬定律提出的立体折叠架构,芯片单位体积功耗剧增。传统铜基材料热导率已达瓶颈,且高热阻堆栈导致两相液冷因温度不足而难以落地。金刚石材料热导率高达2000W/m·K,将其应用于衬底或均热片,可将单位面积热阻从55mm²·K/W降至1mm²·K/W以内,使背面温度达到100℃,满足常压两相液冷条件...

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