刻蚀工艺指标包括哪些？

刻蚀是光刻之外最重要的集成电路制造步骤，存在多项关键工艺指标。

1） 刻蚀速率即在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，实际生产中为了提高产 量，需要提高刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中，它是一个非常重要的参数。

2） 刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状，有两种基本的刻蚀剖面，分别是各向 同性和各向异性。各向同性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和纵向）以相同 的刻蚀速率进行刻蚀。

3） 刻蚀偏差 刻蚀偏差是指刻蚀之后线宽或关键尺寸的变化。

4） 选择比 选择比指在同一刻蚀条件下两种不同材料刻蚀速率快慢之比，具有高 选择比的刻蚀工艺不会刻蚀其下一层的材料，并且也不会刻蚀起保护作用的 光刻胶。在最先进的工艺中，为了确保关键尺寸和剖面结构，高选择比是必要 的。尺寸越小，对选择比的要求就越高。如下图，SiO2 为想要刻蚀物质，光 刻胶为避免刻蚀物质，高选择比意味着刻蚀尽量多的 SiO2，以及尽量少的光 刻胶。

5） 均匀性是衡量刻蚀工艺在单个硅片上，或不同硅片间刻蚀能力的参数。均匀性 与选择比有着密切的关系，因为非均匀性刻蚀会产生额外的过刻蚀。刻蚀速率 在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上，刻蚀会完全停 止，这一现象被称为深宽比相关刻蚀（ARDE），也被称为微负载效应。为了提 高均匀性，必须把硅片表面的 ARDE 效应减至最小。

其他指标 残留物，聚合物，等离子体诱导损伤以及颗粒沾污，反应腔开机时间等 等，也是实际生产中刻蚀设备需要满足的关键技术参数。