兆易创新如何受益于全球存储产能结构性迁移及长鑫科技的合作？

兆易创新在全球存储行业产能结构性迁移中受益显著，主要体现在以下几个方面：

首先，国际存储龙头的战略调整为公司打开了产能替代窗口。三星、SK 海力士、美光等大厂持续退出利基型 DRAM 和 SLC NAND Flash 产能，转向 HBM、DDR5 等高阶产品。铠侠、美光等也在削减 SLC NAND Flash 产能。这导致供给缺口自 2025 年起显著释放，为兆易创新提供了市场份额扩张的机会。公司有望复刻其在 NOR Flash 领域已验证的份额增长路径，在利基型 DRAM 与 SLC NAND Flash 市场实现份额的较快增长。

其次，公司与长鑫科技的深度合作是 DRAM 业务的核心支撑。长鑫科技是中国内地唯一实现 DRAM 规模化稳定量产的原厂，兆易创新为其 DRAM 晶圆规模最大的外部 Fabless 代工客户。2026 年，兆易创新从长鑫科技采购代工 DRAM 产品年度额度大幅提升至 57.11 亿元，较 2025 年的 11.82 亿元同比提升约 383%。依托长鑫科技代工产能的释放，公司 DDR4 8Gb 于 2025 年初量产，LPDDR4 量产与 LPDDR5 研发持续推进。我们预测公司 DRAM 收入在 2026/27 年分别为 103.7/139.1 亿元，同比增长显著，毛利率从 2025 年的 30.5%提升至 2026 年的 69.9%和 2027 年的 75.9%。

此外，专用型存储需求具备刚性，智能驾驶、AI 等打开增量空间。利基型 DRAM 凭借低延迟、随机读写的特性适配设备实时运算缓存；SLC NAND Flash 擦写寿命与稳定性出众；NOR Flash 支持代码就地执行。这些特性使得专用型存储在汽车、工控等场景中具有不可替代性。同时，AI 服务器对 NOR Flash 大容量需求提升，端侧 AI 催生定制化存储 DRAM 需求，进一步推动了专用型存储市场规模的增长。