磷化铟产业链扩产的核心瓶颈及国产替代进展如何？

磷化铟扩产的核心瓶颈主要集中在原材料供应和核心生产设备两个方面。首先，在原材料端，铟作为稀散金属，其供给主要来源于锌冶炼副产品，难以独立扩产。中国拥有全球最丰富的铟资源，但通过出口许可管理，特别是针对高纯铟的特批限制，使得原材料获取难度加大，对特定地区的出口限制进一步收紧了全球供应链。

其次，在生产设备端，磷化铟制造依赖的关键设备如MOCVD和高端EBL设备，其全球供应商高度集中。MOCVD设备的主要供应商交货周期已长达7个月以上，加上调试时间，整体等待周期超过一年。高端EBL设备市场由少数几家海外厂商主导，交期普遍超过12个月。这种设备依赖导致新产能建设周期长达18-36个月，且良率爬坡需要8-12个月，严重制约了供给的快速响应能力。

在国产替代方面，尽管国内6英寸磷化铟衬底国产化率目前不足5%，但进程正在加速。国内企业如云南锗业正积极扩充产能，其子公司推进的高品质磷化铟单晶片建设项目，旨在通过扩建生产线提升年产能力。随着国内企业在技术积累和产能建设上的投入增加，有望逐步打破海外寡头垄断，提升供应链的自主可控能力，为下游光芯片企业提供稳定的衬底支持。