晶升股份SiC设备成长兑现，业绩拐点渐行渐近

长晶设备平台化布局，半导体与碳化硅双轮驱动

晶升股份深耕晶体生长设备领域十余年，依托高温高真空晶体生长技术的同源性，形成半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及光伏单晶炉三大产品矩阵。公司是国内较早实现12英寸半导体级单晶炉国产化、较早推进碳化硅单晶炉商业化的本土厂商之一，技术积淀与客户资源构筑核心竞争壁垒。2025年受下游行业周期下行影响，公司营收与利润阶段性承压，但2026年以来订单显著回暖，业绩拐点逐步明确。

半导体硅炉：国产替代加速，绑定头部客户构筑基本盘

全球半导体市场持续扩容，AI算力需求爆发拉动12英寸硅片需求高增。中国大陆是全球12英寸晶圆制造产能扩张最快的市场，预计到2026年底产能将超过300万片/月，占全球三分之一。然而全球12英寸硅片供给长期由海外五大厂商寡头垄断，国内自给缺口显著，国产替代紧迫性凸显。公司作为国内最早完成12英寸半导体级单晶炉研发与产业化的厂商之一，设备控温精度、等径控制等核心指标对标海外竞品，长期深度绑定上海新昇、金瑞泓等国内头部硅片企业。随着本土硅片厂商加速扩产，公司半导体硅炉业务有望保持稳健增长，持续提供高毛利稳定收入来源。

碳化硅设备：多重需求共振，大尺寸升级打开成长空间

碳化硅作为第三代半导体材料，在新能源车800V高压平台与AIDC算力基建双重驱动下迎来需求爆发。新能源汽车领域，800V高压平台渗透率持续提升，碳化硅器件凭借耐高压、低损耗优势成为核心方案；AIDC领域，英伟达推动数据中心向800V HVDC高压直流架构演进，同时下一代Rubin GPU规划采用碳化硅中介层替代传统硅中介层，有望打开12英寸半绝缘衬底长期增量空间。公司碳化硅单晶炉先发优势显著，8英寸机型已批量供货，12英寸设备完成小批量验证，且较早切入台湾市场与四家核心客户深度合作，间接进入台积电先进封装供应链。大尺寸机型单价与毛利率显著优于8英寸产品，产品结构升级将持续抬升盈利弹性。

产能释放与并购协同，平台化战略深化护城河

公司总部生产及研发中心已于2025年3月正式投产，半导体晶体生长设备总装测试厂区计划2026年下半年开工，两大基地建成后将大幅提升产能规模，增强批量大额订单承接能力。同时，公司拟收购为准智能布局通信测试装备领域，若并购落地将实现产业链纵向延伸，短期增厚业绩，中长期依托下游测试业务反向推动长晶设备研发迭代，并借助标的海外销售渠道加速碳化硅设备出海。此外，公司持续拓展切割、减薄、外延等SiC衬底加工设备，以及砷化镓、磷化铟等化合物半导体长晶装备，逐步向平台型设备服务商演进。

盈利修复路径清晰，成长弹性值得期待

2025年末以来行业需求逐步修复，截至2026年5月公司在手订单合计约3.52亿元，以高毛利半导体、碳化硅设备为主。碳化硅设备交付周期仅3-5个月、硅炉交付周期6-8个月，全年设备交付量有望大幅回升。随着下游硅片、碳化硅衬底厂商复苏，新增订单持续落地，营收规模显著修复将带动规模效应显现，毛利率与净利率同步改善。同时，12英寸碳化硅单晶炉等高附加值产品占比提升，将进一步优化盈利结构，推动盈利中枢持续上行。