金刚石散热材料挺进AI赛道:热管理技术迭代与产业化进程加速
- 来源:华源证券
- 发布时间:2026/07/23
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计算机行业金刚石散热更新:挺进AI赛道,应用空间广阔.pdf
研究背景与目的华源证券计算机行业专题报告,聚焦金刚石散热材料在AI算力时代的应用更新。随着AI服务器架构功率突破250kW、芯片热流密度超越300W/cm²,传统铜/硅基底冷却技术逼近极限,金刚石凭借卓越导热性能进入产业化窗口期。核心内容报告系统分析三大技术路线:微通道工艺、金刚石散热材料、两相冷却液改进。重点阐述金刚石两大主流方案——复合材料(热导率500-800W/m·K)与纯金刚石散热片(单晶可达2200W/m·K),覆盖5G基站、功率半导体、高功率激光器及AI服务器四大应用场景。创新提出芯片衬底集成金刚石方案,可将复合热阻从55mm²K/W降至0.4mm²K/W,实现两相冷却突破。产业...
芯片功率攀升驱动散热技术变革
现代AI服务器架构功率已超过250kW,AI芯片局部热流密度突破300W/cm²,热强度急剧攀升源于晶体管高度密集集成及对计算吞吐量的持续追求。当下一代芯片散热需求在裸片级别接近乃至超越500W/cm²门槛时,以铜或硅基底为核心的传统冷却技术正逼近实用极限,难以维持先进半导体稳定运行所需最优工况。液冷架构迭代成为行业刚需,目前处于多技术路线并行、互相组合的阶段,微通道工艺、金刚石散热材料及两相冷却液改进等方向均值得关注。
微通道方案将盖板与冷板合二为一,剔除TIM层、流道宽度在100微米以内,但极易因细微杂质导致管道堵塞,良率低,准备前导期至少需一年以上。海外最初规划Rubin平台采用50微米间距方案未能走通,过渡策略将流道压缩至0.1毫米后良率趋于稳定。两相冷却利用液体在热源表面沸腾相变带走热量,理论上为解决高热流密度的终极方案,但高度依赖低沸点氟化液,面临环保和成本挑战。
金刚石散热性能优势与主流技术方案
金刚石是目前所知天然存在硬度最大的物质,具备高热导率、高化学稳定性、高光学透过性、极宽禁带宽度等性能。单晶金刚石导热能力为铜的5倍、硅的10倍,散热端"0-1"应用窗口期逐步开启。整体应用分为散热材料与半导体基材两大方向,半导体基材仍存在技术壁垒处于研发周期中,而散热材料随算力芯片需求增长迎来规模化应用契机。
当前成本较高,但通过提高金刚石生长速度、设备国产化、规模效应等可持续降本,据央视采访披露,各家金刚石散热成本至少还有30%-50%下降空间。主流方案一为金刚石与铜、铝、碳化硅等复合材料,此类复合方案热导率可达500-800W/m·K。制备过程中需对金刚石微粉做表面金属化处理,典型方案采用Ti/Ni/Au叠层实现黏附和后续键合,再通过焊接或其他键合方式与匹配结构连接。金刚石微流道制造工艺起始于基底制备,采用激光加工、干法刻蚀等精密微加工技术制造微尺度流道,完成后与另一组件集成形成密封流体通道。
主流方案二为纯金刚石散热片,单晶金刚石热导率最高可达2200W/m·K,多晶金刚石可达1800W/m·K。5G基站功率放大器是目前最大应用市场,全球已有超过100万个5G基站采用金刚石散热方案,使用后工作温度可降低30-50℃,寿命延长一倍以上。功率半导体模块应用于新能源汽车、轨道交通等领域,采用后电机控制器功率密度可提升40%以上,随着电动汽车向800V高压平台升级,有望成为高端电动车标配。高功率激光二极管领域工业光纤激光器泵浦源已普遍采用。AI服务器领域尚处于0-1初期阶段,有望随更高功率芯片上量。
芯片衬底集成金刚石的创新路径
Diamond Foundry提出将单晶金刚石集成作为芯片衬底,可与两相液冷结合带来显著散热性能提升。传统液冷堆叠结构中,硅衬底与TIM导热性能相对较差,总热阻高达55mm²K/W,大部分热度无法传至冷板层,硅片底面温度88℃而铜板背面仅69℃,水无法蒸发,两相冷却难以推进。芯片层面集成金刚石后,半导体厚度从约800µm减薄至30µm以下,外层覆盖600µm厚度金刚石衬底,复合热阻降至0.4mm²K/W,重新分配系统电阻分布并提供温度更适宜两相冷却的背面表面。该方案可将人工智能芯片热点温度大幅降低52℃,实现超高功率密度,芯片可在更高功耗下提升运行速度,使用寿命显著延长,结合热分布图优化后功耗上限与运行速度最高可提升15倍。
制备工艺与产能布局
金刚石制备主要包括HPHT高温高压法与CVD化学气相沉积法。HPHT法采用六面顶压机模拟天然金刚石形成条件,主要产出单晶块体颗粒状金刚石,晶体质量较好但尺寸较小,多用于培育钻石。CVD法在高温低压环境下分解含碳气体,碳原子在衬底表面沉积生长成金刚石薄膜,可按需制备大尺寸、高纯度材料,适用于大面积散热片和晶圆。CVD法主要包括微波等离子体CVD(MPCVD)、热丝CVD等,MPCVD凭借高纯度、高可控性成为大规模制造高端金刚石热沉片的主流方法。
河南是全球超硬材料核心集聚区,全省人造金刚石产量约占全国80%、工业级年产量约120亿克拉,撑起全球产业半壁江山。MPCVD领域国内起步较晚但发展迅猛,以宁波晶钻科技、四方达、国机精工、深圳优普莱等为代表的企业和科研机构在设备自主研发与高质量金刚石制备上取得突破,深圳优普莱已正式推出915MHz大功率MPCVD设备,获得市场客户高度认可。
产业催化事件与国内外进度
2026年以来金刚石产业催化密集。2月Akash向印度交付首批搭载H200的金刚石散热服务器,同月英伟达对外表示后续可能采用"金刚石+"散热方案。3月联想Yoga Slim 7i系列量产金刚石铜散热方案。4月Coherent推出用于下一代人工智能加速器冷却的Thermadite™ 800液冷板,金刚石融入碳化硅基体,热导率达到800W/(m·K)约为铜的两倍。5月底纬创旗下纬颖宣布将在台北电脑展全球首发搭载金刚石复合材料的服务器冷板方案,专为英伟达下一代Vera Rubin AI平台打造。国内厂商采用意愿持续走高,据央视采访披露,2026年1-4月金刚石相关公司送检总量已超过2025年全年水平,2025年送检量则为2024年的5倍。
海外格局以Element Six为首,其CVD金刚石市场份额约40%,日本住友电工、Diamond Foundry、Coherent均有布局。国内多家企业技术路线储备充分,四方达以MPCVD方案为主可做4-12英寸金刚石片,自研量产散热片热导率可达2000W/mK以上,在沙雅县投资约4.5亿元建设年产2.5万片生产线,目前已进入小批量供货阶段。黄河旋风2026年2月实现国内首条8英寸金刚石片产线投产,未来规划年产15万片产能。力量钻石拟将约10.3亿元募集资金变更投入金刚石功能材料生产研发建设项目。惠丰钻石在内蒙古包头投资10亿元建设CVD金刚石产线,一期计划采购500台MPCVD设备。
市场规模与降本前景
金刚石散热可应用于多场景,千亿市场规模可期。据Yole Développement、Market Research Future等多家机构报告及中国地质大学(北京)郑州研究院整理,2023年全球市场规模约45-50亿美元,年复合增长率18%-22%,2030年预测市场规模120-150亿美元。核心增长驱动力包括5G基站持续建设,预计2030年全球将有1500-2000万个5G基站;新能源汽车渗透率持续提升,预计2030年全球渗透率将达50%以上;以及成本下降推动向AI服务器等更多应用场景渗透。
成本下降路径清晰,工业金刚石有望持续降本。规模效应释放、国产化设备使用渗透率提升、工艺良率改善等因素叠加,CVD金刚石成本有望快速下降。当前散热用金刚石几乎全部采用CVD法生产,MPCVD为主流技术路线,随着国内产能扩张与技术成熟,商业化进程将显著加速。
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