AI驱动SiC行业反转，电源与封装新应用重塑市场格局

行业景气度显著提升，AI电源成为核心驱动力

近期全球碳化硅（SiC）核心企业市场表现突出，行业景气度呈现明显回升态势。多家头部企业在财报或法说会中披露，其SiC业务订单逐步恢复，出货量与收入实现显著增长。这一反转的主要驱动力来自AI数据中心对电源系统的巨大需求。随着AI大模型训练与推理需求的指数级爆发，单机柜功耗从传统的200kW快速向1MW+迈进，传统低压直流供电架构在电流、铜耗及效率上已触及物理与经济极限。为此，英伟达等芯片巨头主导推出了800V高压直流（HVDC）供电架构，旨在解决兆瓦级算力集群的供电难题。

在这一架构变革中，固态变压器（SST）成为关键组件。传统工频变压器体积庞大、效率较低且缺乏主动调控能力，难以适应AI数据中心高密度、高动态的负载特性。而基于SiC器件的SST具备高频化优势，可将10kV交流电直接转换为800V直流电，不仅体积重量缩减至传统方案的1/4至1/6，功率密度提升4倍以上，且全链路损耗降低70%以上，转换效率最高可达98.8%。目前，台达、阳光电源、金盘科技等多家产业链企业已推出基于SiC的SST产品或方案，并开始在数据中心等场景落地应用，标志着SiC在AI电源领域的应用正走向规模化。

车规市场渗透率仍有空间，8英寸扩产刺激上游需求

除了AI电源这一新增长点，车规市场仍是SiC的重要基本盘。尽管新能源车渗透率持续提升，但全球汽车SiC渗透率目前仍不足5%，处于从“高端专属”向“大众普及”过渡的阶段。随着800V高压平台车型价格下探至10-20万元区间，以及8英寸衬底产能的加速释放，SiC器件成本有望进一步下降，推动车规市场进入高速增长期。

下游应用的爆发直接带动了上游产能的扩张。近期，包括三星、英飞凌、安森美、意法半导体以及国内的天岳先进、士兰微、时代电气等在内的多家企业纷纷宣布扩产8英寸SiC晶圆产线。据统计，仅去年下半年至今年年初，宣布新增的8英寸FAB线产能规划已超240万片。这种大规模的下游扩产不仅反映了市场对未来的乐观预期，也将大幅刺激上游SiC衬底及长晶、切片等设备的增量需求，为产业链上游企业带来显著机遇。

先进封装与AR眼镜开辟第二增长曲线

除了电源领域，SiC在先进封装和消费电子新兴应用中也展现出巨大潜力。在AI硬件方面，随着CoWoS等先进封装产能的快速扩张，散热成为制约芯片性能的关键瓶颈。SiC材料具有极高的热导率和机械强度，优于传统的硅或玻璃中介层。台积电已向部分企业提出12英寸中介层SiC衬底需求，多家SiC企业已送样验证。若未来SiC在CoWoS中介层中实现较高比例的替换，将激发出庞大的衬底市场需求。

在AI终端方面，AR眼镜被视为重要的增量场景。SiC凭借高折射率、超高硬度和优异的热稳定性，成为高端AR眼镜波导镜片的理想材料。Meta等科技巨头已推出采用SiC镜片原型的AR眼镜，实现了更广阔的视场角和更优的光学性能。随着AI/AR眼镜出货量预期的提升，SiC在光学衬底领域的应用有望成为继电源和封装之后的又一重要增长极，进一步拓宽SiC的应用边界。

综合来看，AI电源、先进封装及AR眼镜等新应用为SiC行业带来了全新的增长逻辑。市场正从单纯依赖车规市场转向多元化驱动，SiC有望成为AI时代的关键基础材料，行业估值体系有望迎来重新定价。