国博电子的优势体现在哪？

核心团队背景多为中电科五十五所工程师，技术积累雄厚。

公司核心团队技术背景深厚，多人（历）任中电科五十五所重要技术职位。据公司公告，公司董监高及核心技术人员中有 13 位研究员高级工程师，且（历）任中电科五十五所重要技术岗位：公司现任董事长梅滨为研究员级高级工程师，任中国电科五十五所所长；公司现任董事、总经理吴礼群曾任中电科五十五所副所长；核心技术人员陈新宇、周骏、郑惟彬、郑远、张有涛等均为研究员级高级工程师。公司核心团队拥有深厚的技术背景，积累了丰富的技术经验，具有较强的专业性。据公司公告，截至 2024 年末，公司研发人员413 人，占公司总人数的比例为 23.43%，其中博士学历 12 人、硕士学历228 人、本科及以下173人，研发团队中超半数人员学历在硕士及以上，研发能力较强。

公司由中电科五十五所孵化并控股，承接了其T业/R务组，件技术积淀深厚、定型产品丰富。公司整合了中国电科五十五所微系统事业部有源相控阵T/R组件业务，具备 100GHz 以下有源相控阵 T/R 组件研制生产能力，为各型装备配套研制了数百款有源相控阵 T/R 组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。具体来说公司 T/R 组件产品的技术优势有：1）具备优良的设计、工艺和测试平台，有利于实现 T/R 组件的小型化、多功能化和低成本。针对T/R组件小型化、高密度、大功率、低成本、高可靠性等发展趋势及要求，公司建立了设计、工艺和测试三大平台，设计平台包括高频低损耗传输互连设计、三维立体叠层组件设计等关键技术，工艺平台包括多层堆叠互连工艺技术、大功率模块封测技术等，测试平台包括可靠性试验分析测试技术。上述三大平台帮助公司实现T/R组件的小型化、多功能化和低成本。2）三代半导体材料应用领先，有利于提高T/R组件性能并降低有源相控阵雷达成本：据《空间目标探测雷达技术》（马林，2013），一方面，GaN 材料较 GaAs 具有更宽的禁带、更高的击穿场强和电子饱和速度、更好的散热性能；另一方面，在实现同样性能时，采用三代半导体技术后组件数量和天线单元及面积可以减少一半，有源相控阵雷达成本显著降低。据公司公告，目前公司自主研制的 GaN 射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用。

公司正积极进行产品研发创新，并拓展下游应用市场。当前，公司积极推进射频组件设计数字化转型，开展设计平台数智化建设，通过自动化软件开发与实战化应用，实现 T/R 组件设计关键环节效率的大幅提升。同时公司积极开展T/R组件应用领域拓展，在低轨卫星、商业航天、通信等多个领域均开展了技术研发和产品开发工作，多款产品已开始交付客户。

1、射频模块产品：公司是全球范围内少数具备GaN 射频模块批量供货能力的企业之一。据《第三代半导体材料在 6G 通信技术中的应用与挑战》（周泓霖，2024），第三代半导体材料以氮化镓、碳化硅、氧化锌等为代表，与前两代半导体相比，具有宽禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率等优点，更适用于高温、高频、高功率等极端环境。据表12 数据，在禁带宽度、击穿场强方面，碳化硅和氮化镓分别约为硅的 3 倍、10 倍；在导热率方面，碳化硅约为硅的 3.8 倍；在电子漂移饱和速率方面，氮化镓约为硅的2.5倍。第三代半导体将成为新一代信息通信的核心，是 6G 通信扩大网络覆盖范围的理想选择。在第三代半导体材料中，碳化硅和氮化镓是目前最商品化的材料，其中碳化硅热导率高，适用于高功率器件，氮化镓电子饱和迁移率高，适用于高频领域，如通信基站和消费电子。公司的 GaN 射频模块主要应用于4G/5G基站设备，且已在5G-A 移动通信崭露头角，并积极布局 6G 移动通信应用，是全球范围内具备GaN射频模块批量供货能力的极少数企业之一。

2、射频芯片产品：公司聚焦 5G、5G-A、U6G 基站和终端应用，产品性能达到国内先进水平，并实现批量出货。1）基站类射频芯片产品包含低噪声放大器、功率放大器及射频大功率开关等，是国内基站射频器件的核心供应商。2）终端类射频芯片产品包含射频开关、天线调谐器、WIFI 模组、终端模组等，已经开始向多家业内知名终端厂商批量供货；同时基于新型半导体工艺开发完成手机PA 等新产品，逐步开始向客户供货。针对终端应用的射频开关、天线调谐器产品，公司逐渐形成完备产品谱系，实现大批量出货；针对卫星通信和感知领域需求，公司开展多款射频芯片产品的开发，部分产品已实现小批量交付。