华邦电子CUBE演进及应用情况如何?

华邦电子CUBE演进及应用情况如何?

最佳答案 匿名用户编辑于2025/03/25 10:31

用于边缘计算且具备可扩展性。

华邦电子开发的创新型CUBE(Customized Ultra Bandwidth Element,定制化超高带宽元件)技术,旨 在大幅提升内存接口带宽,以满足边缘计算平台上快速增长的AI应用需求。CUBE作为一款高带宽、低功耗、 紧凑尺寸、极具成本效益,以及可定制化的内存解决方案,可以满足AI应用日益增长的需求,并且可供模 组制造商和SoC厂商直接部署。

CUBE是客制化的高宽带存储芯片3D TSV DRAM,专门为边缘AI运算装置所设计的存储架构,利用3D堆 叠技术并结合异质键合技术以提供高带宽、低功耗、单颗256Mb至8Gb的存储芯片。

架构:CUBE是将SoC裸片置上,DRAM裸片置下,可以省去SoC中的TSV工艺,进而降低了SoC裸片的尺 寸与成本。同时,3D DRAM TSV工艺可以将SoC信号引至外部,使它们成为同一颗芯片,进一步缩减了 封装尺寸。而因为SoC裸片在上方也可以有比较好的散热效果。

制造:据了解,这个专案当时由联电推动,目标是锁定边缘运算AI应用在穿戴式装置、家用和工业物联网、 安全和智慧基础设备等,提供中高阶算力、可客制的存储模组和较低功耗需求的解决方案。联电负责 CMOS晶圆制造和晶圆对晶圆混合封装技术,华邦电导入客制化CUBE架构,智原提供全面的3D先进封装 一站式服务,以及存储IP和ASIC小芯片设计服务,日月光则提供晶圆切割、封装和测试服务,另外还有 Cadence负责晶圆对晶圆设计流程,提取TSV特性和签核认证。

演进:CUBE 的超高带宽实现和 HBM 比较相似,主要是通过大量并行的 IO 口,以相对较低的频率达成。 大量 IO 连接也决定了 CUBE 需以 3D 堆叠的方式,藉由 TSV (硅过孔)与 SoC die 互联。 所以华邦与主 芯片厂之间的合作,也从过去的 KGD 1.0(Known Good Die)升级到了 KGD 2.0。  KGD 1.0:指芯片SIP合封,即DRAM和SOC芯片堆叠或并排封装,这种模式在业界已成熟多年,尤其在中 小容量DRAM产品(如1Gbit以下)的封装中,具有低成本和小占板面积的优势。  KGD 2.0:在KGD 2.0模式下,华邦销售测试好的wafer(晶圆)给客户,由客户选择封装厂进行封装。华 邦电子产品总监朱迪指出,未来商业模式中封装厂的角色将更重要。华邦将继续专注于提供DRAM wafer, 并可能提供更多服务,如测试等。

华邦电子CUBE:CUBE(b)技术中,SoC被翻转并连接到CUBE晶片上,1)SoC芯片置于顶部可提供更好 的功耗;2)SoC 芯片中没有TSV可以降低成本、复杂性和面积;3)CUBE可以包括硅电容器(Si-Cap)等 集成无源器件(IPD),有助于为SoC提供稳定的电源,而无需无数的分立多层陶瓷电容器(MLCC),附加值 是CUBE充当DRAM+硅电容+硅中介的角色存在——故称其为“element”。每个内核SRAM单元需要6 个晶体管,每个核心DRAM单元只需要1个晶体管。因此,使用相对便宜的20nm工艺,CUBE的密度是采 用相对昂贵的14nm工艺实现的SRAM芯片的5倍。

华邦的CUBE解决方案主要面向低功耗、高带宽,以及中低容量的内存需求,适合于边缘计算和生成式AI 等应用。 例如在AI-ISP架构中,如下图所示,灰色部分属于神经网络处理器(NPU),如果AI-ISP要实现大算力, 需要很大的带宽,或者是SPRAM。但是在AI-ISP上使用SPRAM的成本非常高,不太可行。如果使用 LPDDR4就需要4-8颗,无论是合封还是外置,成本同样相当高昂。此外,还有可能会用到传输速度为 4266Mhz的高速LPDDR4,而这样的产品需要依赖7nm或12nm的先进制程工艺生产。 华邦的CUBE解决方案可以允许客户使用成熟制程(例如28、22nm)的SoC,获得类似的高速带宽。华 邦的CUBE解决方案可以通过多个I/O(256或者512个)结合28nm SoC提供的500MHz的运行频率,以 此实现更高带宽,带宽最高可增至256GB/s。不仅如此,华邦在未来可能会和客户探讨64GB/s带宽的合 作,I/O数可以减少,裸片的尺寸也会进一步缩小。

随着CPU高速运算需求对制程的要求越来越高,可以看到16nm、7nm、5nm到3nm的CPU,SRAM占比 (如下图中红色部分所示)并不会同比例缩小,因此当需要实现AI运算或者进行高速运算的情况下,就需 要把L3的缓存SRAM容量加大,即便可以使用堆叠的方式达到几百MB,也会导致高昂的成本。

 华邦的方案是把L3缓存缩小,转而使用L4缓存的CUBE解决方案。L4缓存之所以被称作L4,首先是因为它 的延迟(Latency)会比L3的稍长。华邦电子次世代内存产品营销企划经理曾一峻表示,为了克服这个问 题,可以采用多BANK的方式(multibank per channel),来获得更好的存取效率。第二个方式是将重 写(rewrite)IO分开,这是一个比较类SRAM的方式,缩短运行时间,即以某些比较特殊的架构进行产 品修正,会针对客户的一些特殊需求和应用场景进行定制化调配,缩短L4缓存的延迟。同时,AI模型在某 些情况下还是需要外置一定容量的内存,例如在某些边缘计算的场景下会需要8-12GB的LPDDR4或者是 LPDDR5,因此也可以外挂高容量的工作内存(Working Memory)。  综上所述,CUBE可以允许使用成熟制程,以降低SoC成本、减小芯片功耗以及获得高带宽。

参考报告REPORT

半导体行业专题报告:端侧大模型近存计算,定制化存储研究框架.pdf

半导体行业专题报告:端侧大模型近存计算,定制化存储研究框架。大模型赋能端侧AI。在人工智能的飞速发展中,大型语言模型(LLMs)以其在自然语言处理(NLP)领域的革命性突破,引领着技术进步的新浪潮。自2017年Transformer架构的诞生以来,OpenAI的GPT系列到Meta的LLaMA系列等一系列模型崛起。这些模型传统上主要部署在云端服务器上,这种做法虽然保证了强大的计算力支持,却也带来了一系列挑战:网络延迟、数据安全、持续的联网要求等。这些问题在一定程度上限制了LLMs的广泛应用和用户的即时体验。正因如此,将LLMs部署在端侧设备上的探索应运而生,不仅能够提供更快的响应速度,还能在保...

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