源杰科技的核心优势在哪？

形成两大平台与八大技术，技术深度融合IDM为光芯片保驾护航。

1.形成“两大平台”“八大技术”，主要产品获行业认可

IDM全流程业务体系上形成“两大平台”“八大技术”。经过多年研发与产业化 积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体 系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀 膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。 在此基础上，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造 平台”两大平台，积累了“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接 生长技术”“小发散角技术”等八大技术。

“两大平台”保障产品，“八大技术”助力降本增效。公司两大平台积累了大 量光芯片工艺制程技术和生产经验，系已有产品生产的保障、未来产品升级及品类 拓展的基础。同时，公司突破技术壁垒，积累八大技术，实现激光器芯片的性能优化 及成本降低，其中，优化产品性能方面，可实现激光器芯片的高速调制、高可靠性、 高信噪比、高电光转换、高耦合效率、抗反射等；降低产品成本方面，可提高激光器 芯片的良率，并可简化激光器芯片封装过程中对其他器件的需求，降低产品单位生 产成本、下游封装环节的复杂度及对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部 署的供应链安全。

外延工艺是晶圆制造乃至光芯片生产核心环节，公司是国内少数能够自主完成 外延片设计开发与生产的企业。光芯片生产主要环节为芯片设计、晶圆制造和芯片 加工，其中，外延工艺是晶圆制造乃至光芯片生产最主要、技术门槛最高的环节，晶 圆工艺技术水平决定了光芯片产品的性能指标及可靠性。国内的光芯片生产商普遍 具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力，而光芯片核心的外延技术并不成熟，高 端的外延片需向国际外延厂进行采购，限制了高端光芯片的发展。公司自成立之初 便开始进行外延片设计与技术力开发，是国内少数能够自主完成外延片设计开发与 生产的企业，将芯片设计与外延工艺相结合，借助快速研发迭代缩短研发周期，公司于2020年推出应用于硅光子集成的大功率激光器芯片产品。

光栅工艺是生产制造中最重要的环节之一，公司掌握电子束光栅工艺与相移光 栅技术。光栅工艺是激光器芯片生产制造中最重要的环节之一，其主要制造出分布 式光栅结构，最终影响的激光器芯片产品指标包括出光功率、单模良率、芯片波长、 极限工作温度特性、芯片模态稳定性、高频特性等。公司除在部分低速率2.5G激光器芯片生产中采用全息光栅工艺，其他2.5G以 及全部10G、25G及以上速率激光器芯片均采用先进的电子束光栅工艺。此外，公司 核心技术相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，该技术近年来被大量 应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之 一。

公司在研项目提供国内领先、国际先进的光电信息传输方案。公司开发的大功 率硅光激光器芯片可作为高速硅基集成光模块应用的25mW/50mW/70mW大功率激光器光源，最终满足数据中心100G DR1/400G DR4架构的需求；正在开发的100G 激光器芯片可作为400G、800G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据中心 100G LR1/FR1/DR1、400G LR4/FR4/DR4与800G DR8架构的需求；公司开发的 50G 激光器芯片可作为200G、400G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据 中心200G DR4/FR4与400G FR8/LR8架构的需求。在研产品性能处于国内领先、国 际先进的水平。

2.光芯片需设计与制造紧密结合，IDM助生产流程自主可控

IDM模式是行业主流方向，也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶颈的最佳生产模式。集成电路行业公司，由于行业分工日益明确，为减少大规模资本投入，集中资源投入研发环节，新进企业多采用Fabless模式。而光芯片行业，相较于逻辑芯片注重尺寸缩小，激光器芯片需通过工艺平台实现光器件的特色功能，更注重工艺的成熟和稳定；此外光芯片生产环节要求芯片设计与晶圆制造环节相互反馈与验证，以实现产品的高性能指标、高可靠性。全自主知识产权的光芯片生产线使得公司能够根据晶圆制造过程反馈的测试情况，改良芯片设计结构并优化制造工艺，并有利于全生产流程的自主可控，不受贸易摩擦等国际环境的影响。

光芯片特性实现要求设计与制造的紧密结合。光芯片使用III-V族半导体材料， 要求芯片设计与晶圆制造环节相互反馈与验证，以实现产品的高性能指标、高可靠 性。光芯片特性的实现与提升依靠独特的设计结构，并根据晶圆制造过程反馈的测 试情况，改良芯片设计结构并优化制造工艺，对生产工艺、人员培训、生产流程制订 与执行等环节的要求极高。而光芯片制造涉及的流程长，相关技术、经验与管理制 度需要长时间积累，对光芯片商用化制造能力提出严苛的要求，提高了制造准入门 槛，因此长期且持续的工艺制造投入所积累的生产与管理经验，是行业中非常必要 的条件。

光芯片行业IDM模式，有助于生产流程的自主可控。光芯片生产工序较多，依序 为MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片 测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等。IDM模式更有利于各环节的自主可控，一 方面，IDM模式能及时响应各类市场需求，灵活调整产品设计、生产环节的工艺参数 及产线的生产计划，无需因规格需求的变更重新采购适配的大型自动化设备。另一 方面，IDM模式能高效排查问题原因，精准指向产品设计、生产工序或测试环节等问 题点。此外，IDM模式能有效保护产品设计结构与工艺制程的知识产权。

公司采用IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速 响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。在IDM模式下， 公司掌握光芯片生产全流程核心工艺开发能力，不断积累光芯片研发与生产经验， 将科技成果应用于芯片设计、晶圆外延等核心环节，实现产品的差异化特性、高性 能指标、高可靠性等，提高产品竞争力，实现了科技成果与产业的深度融合。IDM模 式使得公司能够快速将研发技术与生产经验结合，更快提升和改进新技术，推出新 产品，保障产品的可靠性和稳定性，无需委托国际先进晶圆片厂商制造加工晶圆， 实现光芯片生产全流程各环节的自主可控。同时IDM模式让公司更好控制产线产能， 能根据客户需求安排工期，实现更快的服务响应速度，对解决我国高端光芯片卡脖 子问题极为重要。

凭借IDM模式，导入可靠性验证后原型样品如出现失效情况可高效排查、定位、 迭代。光芯片的终端应用客户主要为运营商及互联网厂商，在产品性能满足的前提 下，更关注产品的可靠性及长期使用的稳定性。光芯片的应用场景可能涉及户外高 温、高湿、低温等恶劣的应用场景，对其可靠性验证的项目指标多样且耗时长久，用于确保严苛环境产品长时间操作不失效。光芯片设计定型后需进行高温老化验证， 周期通常超过二至三个季度。市场需求急迫时，光芯片供应商需提前导入可靠性验 证方案，以确保供需及时。凭借IDM模式，原型样品在导入可靠性验证后，如出现失 效情况，公司能对设计、制造或测试等各环节进行高效地排查，精准定位改善点并 快速展开第二型、第三型样品光芯片的迭代开发，有效提高可靠性验证项目的实施 效率。