国内存储产业链布局现状如何？

从三大产品看国内存储产业链布局现状：

DRAM 三巨头具备先发优势。据 TrendForce 数据统计，DRAM 头部效应明显且集中度呈现越来越 高的趋势，23Q1 市场 CR3 达 95.5%，较 20Q1 提升 1.3pcts。产品上，目前产品最新标准迭代至 DDR5， 10nm 以下制程待突破。传统异步 DRAM 已被淘汰，读/写时钟与 CPU 同步的 SDRAM 作为 DRAM 的升级成为主流，主要包括 DDR/GDDR/LPDDR 等，其中 DDR 已迭代至第五代（DDR5）；制程上， 10nm~20nm 系列制程至少包括六代：1Xnm（16-19nm）/1Ynm（14-16nm）/1Znm（12-14nm）/1α /1β/1γ，10nm 以下待突破。长鑫 2018 年成功研发出中国首个国产 8Gb DDR4 内存，2021 年开始 进入 17nm 工艺环节，2022 年完成了 17nm DDR5 内存试产。目前长鑫存储主要产品有 DDR4 内存 芯片、LPDDR4X 内存芯片以及 DDR4 模组，但整体来看，与 DRAM 三巨头仍存在一定差距。

相比于 DRAM，NAND 集中度更低，但目前依然呈现越来越高的趋势。据 TrendForce 数据显示， 近两年 NAND Flash 市场龙头占领的市场份额进一步加大，CR5 从 20 年 Q1 的 89.0%增长到现在的 96.6%。产品上，长江存储于 2022 年发布基于晶栈®（Xtacking）3.0 技术的第四代 TLC 三维闪存 X3-9070，相比长江存储上一代产品，X3-9070 拥有更高的存储密度，更快的 I/O 速度，并采用 6-plane 设计，性能提升的同时功耗更低，同时是长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品，能够在更小的 单颗芯片中实现 1Tb 的存储容量，与国际巨头达到相近的技术水平，这同时也是 NAND 价格一路下 跌的重要原因之一。

NOR Flash 市场由华邦电、旺宏、兆易创新 3 家厂商主导。据 IC Insights 统计，2021 年 NOR Flash 市场 CR3 份额达 91%。从制程布局上看，华邦电相对领先，自 2021 年大多数产品已转进 40nm 制 程；旺宏的所有 NOR 器件都于 2022Q2 开始向 45nm 工艺生产过渡；兆易创新作为国产 NOR Flash 龙头，其 55nm NOR Flash 全系列产品均已量产，同时正在着力推进 45nm 制程工艺研发。

作为国产化率最高的一类存储芯片，国内有许多企业在 NOR Flash 芯片进行产品布局。 ①兆易创新：作为全球NOR Flash产品的龙头，其相关产品涵盖了市场绝大部分的容量类型，从512Kb 至 2Gb，电压涉及 1.8V、2.5V、3.3V 以及宽电压产品； ②北京君正：公司分别通过控股北京矽成、上海芯楷进行 NOR Flash 存储芯片的研发与生产，具有 串口型和并口型两种设计结构，涉及到消费电子、汽车电子等下游领域； ③普冉股份：公司相关产品包含 L 系列（高电压、2.3-3.6V）、H 系列（低电压、1.65-2V）、U 系 列（宽范围：1.65-3.6V）三类，广泛应用于智能手机、TWS 耳机等领域； ④东芯股份：公司产品应用于通讯设备、可穿戴设备以及安防监控设备，覆盖容量从 64Mb 到 1Gb 的产品规格； ⑤恒烁股份：公司 NOR Flash 存储芯片产品具有可靠性高，功耗低以及先进的安全特性等优势，应 用范围涵盖了显示驱动，PC、平板等消费电子设备，以及 WLAN 等通讯设备。