国博电子的竞争力体现在哪些方面？

产品技术性能国内领先，积极布局产业新赛道。

1. 军品民品相辅相成，产品竞争力国内领先

T/R 组件和射频模块业务与射频芯片业务相辅相成，相互协同。射频芯片是 T/R 组 件、射频模块的重要组成部分。T/R 组件与射频模块在设计、制造过程中一方面要 考虑射频芯片的性能，另一方面需要依靠公司先进高密度集成工艺，热、力、电、 磁多物理场协同设计技术，将技术参数在各射频芯片之间进行拆解，才能充分发挥 出各射频芯片的最佳性能，形成高可靠、高集成、小型化的 T/R 组件与射频模块。

T/R 组件和射频模块国内领先，国际先进。①有源相控阵 T/R 组件是指在雷达或通 信系统中用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内进行幅度相位控 制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。 有源相控阵雷达的 T/R 组件功能复杂，指标参数众多，工艺一致性要求高，是有源 相控阵雷达形成战斗力的核心技术之一。公司研制生产的有源相控阵 T/R 组件采用 高密度集成技术，利用先进设计手段和全自动化制造能力，为各型装备定制开发了 数百款有源相控阵 T/R 组件，具有体积小、重量轻、集成度高、性能优异等特点， 目前已定型或技术水平达到固定状态的产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等 领域。②在射频模块领域，公司相关产品主要包括大功率控制模块和大功率放大模 块，产品覆盖多个频段。公司开发的大功率控制模块具有高功率、低插损、高隔离、 高集成度等特点，可覆盖不同应用场景下的功率容量要求，其关键技术指标，如通 过功率、插损、隔离度均处于国际先进水平。针对现代基站通信系统对于功率放大 器宽带宽、高线性、高功率、高效率、高可靠性等要求，公司开发了不同功率量级 的大功率放大模块以满足不同应用场景下发射功率需求，其关键技术指标，如线性 度、效率、可靠性等达到国际先进水平。

射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。①在射频放大类芯片领域，公司 射频放大类主要产品处于国际先进水平。在低噪声放大器方面，针对 5G 基站应用， 公司设计了大动态、高线性的低噪声产品，其噪声系数、增益、OIP3、功耗等主要 性能指标均已处于国际先进水平。在功率放大器方面，针对移动通信基站应用，公 司设计了一系列不同输出功率量级、频段及带宽的高线性 HBT 放大器，其增益、饱 和功率、线性功率等主要性能指标也已处于国际先进水平。目前，这两类产品广泛 应用于 4G、5G 移动通信基站中。②在射频控制类芯片领域，公司开发的系列射频 开关、数控衰减器，具有高集成度、高成品率、高性能等特点，主要电性能指标处 于国际先进水平。在基站领域，目前公司系列射频开关、数控衰减器产品广泛应用 于 4G、5G 移动通信基站中；在终端领域，多个信号切换射频开关也已经被 B03 引 入。

2. 公司技术先发优势明显，营收有望持续增长

T/R 组件销量逐年提升，公司在手订单充足。公司是我国最早从事有源相控阵 T/R 组件研制的单位之一。随着有源相控阵雷达体制的广泛应用，公司为各大军工集团 研制开发了数百款有源相控阵 T/R 组件，数十款进入稳定技术状态或定型状态。军 工产品对状态管理及可靠性的要求高，有源相控阵 T/R 组件需要经过长期的研发， 历经初样阶段、试样阶段、定型鉴定后才能达到批产阶段，研发、论证阶段单品的 销售数量一般较少，批产阶段的销售数量则呈现快速增长，定型后将持续保持技术 状态稳定进行生产，延续性较好。公司有源相控阵 T/R 组件业务拥有雄厚的技术储 备和产品储备，持续保持研发投入和产品创新，进入批产阶段的有源相控阵 T/R 组 件产品型号增加，核心产品销量持续增长。公司在手订单主要由 A01、A02 和 E01 客户贡献，合同金额共计 497,346.04 万元。

T/R 组件毛利趋于稳定，芯片产品毛利率不断上升。2019-2021 年公司 T/R 组件和 射频模块毛利率分别为 36.41%、30.18%、33.33%，较为稳定；射频芯片毛利率分别 为 25.44%、28.86%、40.33%，呈上升趋势。目前公司正在自主研发设计芯片，已经 应用在部分新型号新产品上，随着未来自研芯片应用比例的进一步提升，能够节省 芯片设计费用开支，从而在一定程度上带来毛利率的提升。

3. 产品技术性能逐渐突破，积极布局产业新赛道

T/R 组件定位高频高密度，制造工艺技术业内领先。针对 T/R 组件和射频模块小型 化、高密度、大功率、定制化等发展趋势及要求，建立了设计、工艺和测试三大平 台，并基于此开发了小型化、多功能化、低成本的 T/R 组件和射频模块。制造工艺技术一直处于射频微波组件制造行业内领先水平，现有工艺技术可实现 360 通道有 源相控阵 T/R 阵列的集成制造。相比普通电子产品制造工艺，微波组件制造工艺复 杂，种类繁多，通常一只微波组件完整的制造过程涉及数十种工艺。在装配工艺方 面，微波组件装配复杂、品种繁多，公司已经实现接头、基板、管壳定制设备流水 线式自动化装配，装配精度优于 0.05mm；在钎焊工艺方面，公司可以实现 120℃～ 350℃范围内多合金系、多温度梯度（>5 段）的钎焊工艺；在贴装工艺方面，公司 可以实现高精度元器件混合自动化贴装工艺和异形器件贴装工艺；在微组装工艺方 面，公司可以实现高精度芯片粘接-引线键合工艺，具备窄间距多芯片贴装、近壁-深 腔-短距键合工艺；在封装方面，公司具备多种封装工艺技术，拥有射频微波组件气 密封装能力，密封等级达 10-9 Pa.m3/s；在检测方面，公司拥有微米级高精度检测分 析能力。“十三五”期间，开发了三维集成高密度瓦片式 T/R 组件，突破了小型化有 源相控阵系统所需轻薄型 T/R 组件的瓶颈问题，技术达到国际先进水平，为将来共 形相控阵天线技术发展奠定了基础。

积极布局第三代半导体 GaN，奠基 5G 新发展。GaN 被誉为继第一代 Si 半导体材 料，第二代 GaAs 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，随着 5G 的到来， GaAs 器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度，而 GaN 作为一种宽禁带半 导体，可承受更高的工作电压，意味着其功率密度及可工作温度更高，因而具有高 功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点。作为新一代半导体元件，其 方面的核心技术目前主要集中在国外企业手上，GaN 是重要国防军工产品的关键技 术，国外对我国技术封锁，而目前我国氮化镓核心材料、器件原始创新能力仍相对 薄弱，国内在氮化镓器件的研发和生产上面临许多挑战。基于自主核心技术，公司 形成了系列化的 GaAs 和 GaN 化合物半导体产品。2022 年 8 月，国博电子承担的江 苏省科技成果转化专项资金项目“面向 5G 应用的 GaN 芯片及模块研发及产业化” 顺利通过验收。该项目开发了基站应用的 GaN 芯片及模块的设计技术、宽带预匹配 技术、自动封测批产技术，以及 GaN 器件的模型提取、Doherty 准单片电路设计以 及数字预失真处理技术，形成了输出功率几瓦至几百瓦的系列产品并实现了批量应 用。产业化建设方面，配置了多台套 GaN 芯片及模块射频/DC 测试系统、可靠性试 验设备和自动封装设备，形成年产 2000 万只 GaN 芯片和模块生产线，解决国内移 动通信关键芯片急需。该项目的成功实施，为国博电子在 5G 领域的发展奠定了坚 实的基础。