光伏产业中的复合 TCO 膜结构降铟发展前景怎么样？

复合 TCO 膜结构降铟已成趋势

可以通过材料间功函数的匹配程度降低 TCO 薄膜与非晶硅、金属电极两种界面 之间的接触电阻。

半导体-半导体界面（TCO 薄膜-非晶硅界面）：TCO 薄膜可视为半导体，功函数 低的一端电子会向功函数高的一端迁移，在 N 型非晶硅层上需选择高功函数的 TCO 材料以利于电子向 TCO 膜层迁移，同时 P 型非晶硅层上需选择低功函数的 TCO 材 料以利于电子向 P 型非晶硅层迁移。TCO-II 应兼具优良的导电、透光性，优选 IZO、 IZrO、ITO（99:1~97:3），氧化锡含量越少，功函数越高。

金属-半导体界面（TCO 薄膜-非晶硅界面）：TCO 薄膜应选取低功函数的材料以 利于电子向金属电极迁移。TCO-I 锡含量越多，功函数越低，但透光率越差，因此膜 厚度控制在 5-20nm。

TCO 膜结构百花齐放：

 IGO:Zr：单层膜，调节靶材中 Ga 含量来提高禁带宽度，使得薄膜紫外波段 光透过率提高；调节靶材中 Zr 的含量来提高 TCO 薄膜的载流子迁移率。

 ITO+（IWO or ICO）+ITO：3 叠层，既保留了 IWO 或 ICO 薄膜的低电阻率 和低载流子吸收的特性，又利用了 ITO 薄膜与非晶硅和金属电极能够形成良 好接触的特点。

 ITO+Cu 种子层：电镀铜工艺，后续还有喷涂感光油墨（干膜）、曝光显影、 镀铜、去除油墨、反刻铜籽层、镀锡保护膜等流程。

ITO+AZO 或成主流低铟复合 TCO 薄膜结构。电池下表面引入 AZO 可大幅降低 ITO 膜的厚度，从而达到少铟化的目的，目前迈为股份通过设备改进，优化载板设计 和磁场设计，能够大幅降低落在载板和挡板上的靶材，实现每瓦靶材用量降低 30%， 同时通过 ITO+AZO 的叠层设计已经实现效率相当情况下的铟用量降低 70%。