PVD的核心耗材是什么？

溅射靶材是PVD 核心耗材，半导体领域技术壁垒最高。

溅射工艺属于物理气相沉积（PVD）技术的一种，是制备电子薄膜材料的 主要技术之一，其利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速离子 流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的 原子离开靶材并沉积在基材表面，从而形成纳米（或微米）薄膜。被轰击 的固体是溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。靶材质量的好坏对薄 膜的性能起着至关重要的决定作用。

溅射靶材产业链包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用四个环节高纯、超高纯金属是溅射靶材的基础，若靶材杂质过高则会影响导电 性，甚至导致电路损坏。高纯金属提纯难度高，需要将物理提纯和化 学提纯结合使用，经过熔炼、合金化和铸造等步骤，才能满足高纯度 要求。目前该领域主要被日本三菱、H.C Stark 等海外公司垄断。

靶材制造所需工艺繁琐、技术难度较高。靶材制造环节首先需要根据 下游应用领域的性能、需求进行特有的工艺设计，然后再进行反复的 塑性变形、热处理等，过程中需要精确地控制晶粒、晶向等关键指标， 再经过焊接、机械加工、清洗干燥、真空包装等工序。目前制备靶材 的方法主要有铸造法和粉末冶金法。半导体用的超高纯溅射靶材过去 被日矿、霍尼韦尔、东曹等公司垄断。

溅射镀膜是应用溅射法给物体表面镀膜，溅射镀膜的品质对下游产品 的质量具有重要影响。

溅射靶材下游应用领域广泛，在半导体芯片（10%）、平面显示 （34%）、信息存储（29%）、太阳能电池（21%）和智能玻璃（6%） 等行业被广泛应用。

半导体领域用溅射靶材技术门槛最高。不同行业对靶材的纯度要求不同， 半导体行业中靶材用于晶圆制造和芯片封装。溅射靶材用在晶圆制造的 “金属化”过程中，主要用于制备导电层、阻挡层和接触层等，对靶材要半导体领域用溅射靶材技术门槛最高。不同行业对靶材的纯度要求不同， 半导体行业中靶材用于晶圆制造和芯片封装。溅射靶材用在晶圆制造的 “金属化”过程中，主要用于制备导电层、阻挡层和接触层等，对靶材要

高端制程中，铜靶代替铝靶为未来发展方向。靶材主要种类包括铜、钽、 铝、钛、钴等。在半导体芯片领域按照硅片尺寸的不同所用到的靶材类别 也有差异，8 英寸（200mm）晶圆生产中用到的铝靶和钛靶较多，铝靶主 要用作 110nm 以上技术节点的布线材料，钛靶作为其配套的阻挡层材料； 而 12 英寸（300mm）晶圆生产中对于钽和铜靶材的需求较大，铜靶主要 用于 110nm 以下，钽靶与之配套。在半导体制程日渐缩小的趋势下，铜靶 代替铝靶是明确的发展方向。