相较于硅材料，GaN的优势在哪？

相较于硅材料，GaN 材料优势凸显。

GaN HEMT 是新一代射频功率放大器。相较于硅材料，GaN 材料具备更高的耐 压强度，击穿场强大约是硅的 10 倍。此外，在逐渐提升电压的情况下，作为峰值电 子速度的饱和电子速度也达到了硅的 2 倍以上。因此 GaN 射频器件优点在于可高电 压运行，且易实现高效运行。相较于硅基器件（Si LDMOS）和第二代半导体砷化镓 （GaAs）器件，GaN HEMT 在基站端更能有效满足 5G 的高功率、高通信频段和高效率等要求。

不同于 Si 和 SiC 芯片，GaN 的外延片通常用的是异质衬底，例如蓝宝石、碳化 硅、硅等。相对于常规半导体材料, GaN 单晶的生长进展缓慢,晶体尺寸小且成本高, 使得 GaN 单晶衬底及同质外延器件的发展落后于基于异质外延器件的应用。

SiC 衬底上外延生长 GaN 材料结合了 SiC 优异的导热性和 GaN 的高功率密度和 低损耗的能力。与 Si 衬底相比，SiC 衬底上的器件可以在高电压和高漏极电流下运 行，结温将随射频功率而缓慢升高，因此射频性能更好，是射频应用的合适材料。