恒铭达如何通过参股远山新材料切入AI服务器电源赛道并拓展长期增长空间？

恒铭达通过参股远山新材料，旨在切入高附加值的AI服务器电源赛道，打造新的业绩增长曲线。远山新材料是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业，其核心技术源自日本知名第三代半导体专家，主营蓝宝石基中高压氮化镓外延材料、功率器件及功率模块，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓极化超级结（PSJ）功率器件。

恒铭达有望凭借远山新材料的氮化镓器件核心能力，结合华阳通在通信机柜及精密结构件领域的制造经验，实现上游器件与中游结构件的协同优势。这种协同使得公司能够向AI服务器功率模组等高附加值环节延伸，并在海内外头部大厂加速导入，从而打开长期市场空间。

在AI数据中心供电架构方面，随着GPU机柜功率密度攀升，传统54V机架内配电系统已无法满足兆瓦级机架需求，行业正推动向800V高压直流供电（800VDC）转型。在800VDC架构中，GaN主导三级降压链路，展现出显著优势：第一级800V转54V中，GaN较传统SiC与Si器件降低开关损耗与导通电阻，辅助电源面积缩减50%；第二级54V转12V及第三级12V转0.8V中，100V及30V GaN突破频率瓶颈，支持2MHz以上高频运行，不仅缩减电感体积，更支撑GPU端超大电流的动态响应。

GaN在全链路的降耗增效使其成为AI数据中心高密度供电的核心基石。以英伟达NVL576为例，整柜GaN用量可达10万颗，价值巨大。对于千台兆瓦级数据中心，GaN潜在采购额规模可观，未来市场空间广阔。