SK海力士公司研究报告：这个周期完全不同，首予买入.pdf

上传者：9*****
时间：2026/04/16
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SK海力士公司研究报告：这个周期完全不同，首予买入。上行周期或至少持续至 1Q27：我们认为全球存储行业或正在经历本世纪以来最强一轮上行周期，我们认为 DRAM 和 NAND 供不应求程度上强于之前周期，并认为存储器价格至少在 1Q27 之前继续保持高位。我们认为 SK 海力士凭借 HBM 业务上的先发技术优势，以及传统 DRAM 和 NAND 技术/ 产能的追赶或为本轮上行周期的最大受益者之一。

HBM 竞争优势或持续，传统 DRAM 或已在 1b 制程之后技术领先：我们认为 AI 加速器需求持续上升和数据中心周期性设备更新或是驱动 HBM 和传统 DRAM 需求上升的主要动力。我们认为虽然三星电子在 HBM4 技术上取得进步，但 SK 海力士凭借先发优势在良率和性能上或继续领先。我们预测 SK 海力士 2026 年 HBM 市占率或为 52%。我们认为 SK 海力士 DRAM 技术在 1b 制程之后或开始反超三星电子。随着 1c 制程上线和 M15X 工厂投产上量，我们预测公司2026 年DRAM（含HBM）比特产能同比上升22%。

NAND 需求受存储架构调整或持续保持强劲：我们认为英伟达 Vera Rubin 提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU 80% NAND配置需求，为驱动数据中心 NAND 需求上涨的重要因素。我们总结新存储架构本质是面向 AI 推理实现“动态分配，提前预留，高效交互”NAND 资源。我们认为 SK 海力士 NAND 业务策略为利润率导向，而市场主要 NAND 供应商产能扩张总体理性克制。