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美光科技研究报告：存储行业巨擘，AI时代大有可为。美光科技是全球存储行业巨头，已在DRAM和NAND Flash领 域建立了显著的市场份额和技术优势，是全球仅有的三大HBM原 厂之一。AI时代下，HBM成为整个存储领域的重要增长点，美光 科技跳过HBM3直接成功研发HBM3E实现弯道超车，进度追平海 力士，先于三星电子获得英伟达验证与订单。本轮全球半导体周 期于2023年触底，2024年开始有所回升，AI需求红利仍将延续， 虽然短期内受PC和智能手机端需求疲软和暂时的买方去库存策 略影响，DRAM涨幅受限、NAND略有下调，但中长期来看，随着 AI应用在端侧设备中的升级以及大模型逐步在端侧进行本地化 部署，单位设备DRAM与NAND容量将持续增长，同时端侧设备的 AI升级也将加速新一轮换机潮到来。

全球存储行业巨擘，AI时代HBM大有可为。美光科技1978 年成立于美国爱达荷州，专注于存储芯片这一半导体细分领域， 通过多年并购，成功将业务版图扩展至DRAM、NAND闪存、 CMOS图像传感器等多样化领域，市场份额也稳坐存储市场前三 把交椅，DRAM与NAND Flash为其核心业务。AI时代下，匹配 高算力的高带宽存储HBM成为整个存储领域的重要增长点，目 前仅有海力士、美光和三星三家厂商能够供给。2023年美光直接 跳过HBM3，与台积电合作研发HBM3E，2024年一季度，其率 先宣布HBM3E 8Hi量产并供货英伟达H200产品，与海力士节奏 同步，领先三星。三家HBM产品特性各有不同，形成互补且竞 争的局面，其中美光的产品在功耗和广泛兼容性上表现突出，对 HBM在AI、HPC和图形处理等领域的应用有独到见解。

短期传统DRAM整体偏中性，NAND略有疲软。短期来看， 传统DRAM虽然产能受HBM挤出导致供给有所改善，但传统需 求PC和智能手机依旧疲软，叠加买方去库存策略，整体价格改 善不明显，未来的价格回升一定程度依赖于PC和手机市场的回 暖。同时DDR5替代DDR4的进程正处于加速阶段，DDR5的供 给厂商更为集中，议价能力更强，预计也将对美光DRAM整体 价格有所支撑。NAND受到消费电子疲软的冲击更大，除了受 AI服务器推动的企业级SSD之外，其他价格略有下降。

HBM 渗透率正在提升，AI 需求保持强劲，但对远期供需持谨慎态度。AI 模型对高带宽存力的需求导致 HBM需求旺盛，但受制于TSV产能，HBM供不应求，维持高溢价，2025年HBM3e产能已经大量售出。尽管 三大厂商都有扩产，但新加产能最早2025年第二季度才能释放。由于量产HBM3e 12hi的学习曲线长，三大厂 商能否如期落实 HBM3e 产能还有待验证。同时中长期来看，受制于超大规模企业资本支出的不确定性，以及 模型从训练转入推理阶段之后，AI芯片对HBM的高速拉动能否维持还有待验证，厂商需要在短期扩产以满足 需求和中长期过度建设导致供给过剩之间取得平衡。

本轮半导体存储周期尚未结束，端侧传统需求可能成为未来市场的主要驱动力。尽管存在上述担忧，但中 期而言，半导体存储的前景依然光明。首先，随着厂商减产计划的完成和 HBM 的挤出效应，整体库存水平将 逐渐回复到健康状态，同时本次短期的买方去库存行为难以长期持续，本轮半导体存储周期尚未结束。其次， 随着AI设备渗透率的逐渐上升，以及端侧设备（PC和智能手机）在LLM中的角色从客户端转向模型推理本地 化，单位设备中DRAM和NAND的容量需求将持续提升，同时AIPC和AI手机也将带动整体需求量的增长。 因此AI时代下，端侧传统需求在未来存储市场可能依然是主要驱动力。