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北交所行业主题报告：光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产替代加速。光刻胶是光刻工艺关键材料，半导体光刻胶原材料+制造技术壁垒高。光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模 板转移到待加工基片上的图形转移介质。光刻胶按应用领域分类可分为 PCB 光 刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术壁垒最高。 根据曝光波长的不同，半导体光刻胶可分为 G 线、I 线、KrF、ArF 和 EUV 五 种类型。光刻胶曝光波长越短，则加工分辨率越高，能够形成更小尺寸和更精细 的图案，目前最先进的光刻胶曝光波长已经达到了极紫外光波长范围为 EUV 光 刻胶。半导体光刻胶技术壁垒主要集中于 1）原材料端：光刻胶的原材料包括树 脂、光酸、添加剂和溶剂，我国原材料自给率总体较低，特别树脂原材料，成本 占比接近 50%，且高端树脂国产化量产供应量极低。2）制造端：光刻胶的配方 复杂，无法通过现有产品反推配方；同时验证周期长，需要与客户高度协同；此 外，高端光刻机设备购置及维护成本高，对光刻胶企业设备投入要求较高。

中国晶圆厂建设加速+芯片制程提升，驱动半导体光刻胶市场空间快速增长。全球半导体制程向着更先进、更精细化方向发展，驱动半导体制造对光刻胶需求 增长。KrF 光刻胶：随着 3D NAND 堆叠层数迅速增加，对光刻胶的使用量也将 大幅提升；ArF 光刻胶：主要用于先进制程的多重光刻工艺，其用量也随着市场 对先进工艺产品的需求不断增长； EUV 光刻胶：先进制程道次的增加，推动其 使用量将大幅增加。截至 2023 年 11 月，中国晶圆厂已建成 44 座，预计至 2024 年底，将建立 32 座大型晶圆厂，且全部锁定成熟制程。预计 2024-2026 年中国 大陆半导体光刻胶总体需求量增速将快速复苏，达到 12.04%、11.50%和 7.71%。

半导体光刻胶+原材料壁垒突破，“专精特新”企业助力国产进口替代加速。我国光刻胶行业发展起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶等中低端产品， 高端半导体光刻胶被美日企业垄断。北交所作为“专精特新”中小企业的主阵地， 新三板作为“专精特新”中小企业的重要后备力量，光刻胶领域聚集了一批具备 稀缺性的优质公司，在细分领域上通过半导体光刻胶+原材料壁垒突破，助力光 刻胶实现国产替代。佳先股份：子公司英特美实施建设年产 700 吨电子材料中间 体项目，其中对乙酰氧基苯乙烯产能为 500 吨/年，可用于合成 KrF 和 EUV 光刻 胶树脂主要成分聚对羟基苯乙烯；此外，公司加强同徐州博康的交流，并在此前 达成的战略合作意向的基础上，进一步深化合作。2024Q1 实现营收 1.47 亿元 （+18.43%），归母净利润 1091.03 万元（-0.07%）。瑞红苏州：公司是目前我国 唯一一家拥有全系列波长（436/365/248/193nm）光刻机研发平台的光刻胶生产 企业。KrF、ArF 光刻胶生产及测试线已经建成，KrF 光刻胶部分品种已量产。 截至 2023 年末公司已有多款 ArF 高端光刻胶在研并送样，多款 KrF 光刻胶批 量出货半导体客户。2023 年实现营收 2.46 亿元（+9.10%），归母净利润 2639.58 万元（-22.91%）。