3D DRAM行业专题报告：3D DRAM时代或将到来，国产DRAM有望迎来变革契机.pdf

上传者：风****
时间：2024/08/09
热度：494
0人点赞
举报

3D DRAM行业专题报告：3D DRAM时代或将到来，国产DRAM有望迎来变革契机。随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前DRAM芯片工艺已到10nm级别，尽管10nm还不是 DRAM的最后极限，但多年来随着DRAM制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3D NAND Flash早已实现商业化应用，3D DRAM技术尚在研发中，但随着AI浪潮，大容量、高性能存储器需求将大幅增加，3D DRAM有望成为存储器市场的主流产品。

存储巨头纷纷布局3D DRAM技术，产业生态或迎变局

2024年3月，三星在加州举行的Memcon 2024会议上公布了其3D DRAM开发路线图，并计划在2025年推出基于其垂直通道晶体管技术的早期版本的3D DRAM。海力士在VLSI 2024会议上公布了其五层堆叠的3D DRAM产品，生产良率已达 56.1%。美光则在2019年就开始了3D DRAM的研究工作。存储巨头纷纷布局3D DRAM技术，产业生态或迎变局。