存储行业深度报告:把握行业周期反转机会,存储产业链国产替代空间大.pdf
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- 时间:2024/04/18
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存储行业深度报告:把握行业周期反转机会,存储产业链国产替代空间大。供给端:库存趋于正常化,三大存储原厂资本支出聚焦于 HBM、DDR5 等高端存储,行业整体产量增长有限。随着三大存储原厂持续降低资本开支、 减产调节库存,以控制市场过剩的供应总量,海外存储芯片库存水位正趋于 正常化。根据 Bloomberg 数据,海力士存货较前期的高位水平有所回落,三 星、美光库存增速放缓,美光也在此前 FY24Q1 财报中披露,PC、手机、汽 车、工业等终端市场中的存储库存已经处在或者接近正常水位,数据中心的 存储库存表现正在改善,预计到 2024 年上半年接近正常水位。2024 年三大 存储原厂在 HBM、DDR5 等高端存储产品的扩产趋势明确,且 HBM 和现有 DDR 产品相比,HBM 尺寸更大、需要底部缓冲芯片,进一步限制了非 HBM 存储产品的产量。
需求端:下游市场复苏叠加 AI 浪潮驱动,提振存储需求,单机搭载容 量提升或成为需求增长的主要驱动力。存储下游主要应用市场是智能手机、 PC 和服务器,新品发布叠加 AI 新生态推动智能手机迎来换机潮,Canalys 预计 2024 年全球智能手机出货量同比增长 4%;PC 去库存见效,叠加 AI PC 刺激,PC 市场逐步复苏,Canalys 预计 2024 年全球 PC 出货量同比增长 8%; AI 服务器出货量的快速增长正在抵消通用服务器迭代的延迟,根据 Trend Force 数据,2024 年全球服务器出货量预计同比增长 2.05%。但 DRAM 和 NAND 单机搭载容量提升或成为存储市场需求增长的主要驱动力,根据美光 测算,一台 AI 服务器 DRAM 使用量是普通服务器 8 倍,NAND 使用量是普 通服务器 3 倍,而随着智能手机渗透率提升、AI 端侧应用落地,2024 年 DRAM 和 NAND 的单机容量预期也有双位数以上增长。
价格上涨趋势明确,存储进入新一轮上行周期,把握行业周期反转机会。 上游存储晶圆价格自 2023Q3 开始触底反弹,2023 年 9 月现货均价低点至 2024 年 3 月已上涨 30%,上涨趋势明显,上游晶圆价格被拉高后,由于下游 模组厂手中库存低于正常季节水准,引发终端抢货,存储模组价格也随之走 扬,存储进入新一轮上行周期。考虑到三大存储原厂营业利润率距离历史高 点还有很大上升空间,我们认为原厂仍有涨价意愿,以及存储价格在每轮上 行周期至少持续 6-8 个季度上涨,本轮上行周期存储价格仅上涨了 2 个季度, 所以存储涨价趋势或将持续更久。未来随着存储价格持续涨价带来的营业利 润率改善,存储厂商有望迎来业绩与估值的戴维斯双击,行业存在较大的反 弹空间。
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