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微导纳米研究报告：立足ALD布局光伏&半导体，拓展CVD打开成长空间。微导纳米为 ALD 设备龙头，依托这一平台型技术拓展光伏&半导体领 域的应用。微导纳米成立于 2015 年，将 ALD 应用至光伏（2022 年收 入占比 73%）、半导体（2022 年收入占比 7%）、新型显示等领域。

ALD 技术：自限制性优势明显，应用领域广泛。相较于 PVD、CVD 等 薄膜沉积技术，ALD 最大的特点在于自限制性，这一特点使其具备薄膜 控制精确度高和台阶覆盖率高的优势，特别适合在对薄膜质量要求高和 内部结构复杂的领域应用，包括光伏、半导体等。

光伏 ALD 适用多条技术路线，微导纳米为国内龙头。ALD 设备可用于 PERC、TOPCon、钙钛矿等，公司均有相应布局，ALD 设备市占率领先， 并拓展了 PECVD、PEALD、扩散退火、TOPCon 整线工艺解决方案等， 受益于下游扩产，2023 年公司光伏领域新签订单为去年同期的 2.92 倍。

半导体先进逻辑及存储领域 ALD 渗透率提升。随着 45nm 以下先进制 程的发展，原来用于成熟制程的 PVD、CVD 等无法满足部分工序要求， ALD 的应用环节逐步拓宽，其膜厚精度控制和高台阶覆盖率的特性适 合在 45nm 以下节点以及复杂的 3D 结构等领域应用。（1）逻辑：45nm 先进制程下栅介质层适用 high-K 材料，ALD 适用于沉积该种材料，20nm 先进制程下器件由 MOSFET 转向结构更复杂的 FinFET，5nm 以下向 GAAFET 转变，ALD 高覆盖率的优势显著；（2）存储：3D NAND、DRAM 等存储器件的复杂结构需要高深宽比，ALD 具备良好的台阶覆盖能力。

存储领域空间更大&头部存储器厂有望重启扩产，微导纳米为 ALD 龙 头充分受益。相较于逻辑，ALD 在存储领域具备更大的市场，相近制程 下存储所需的 ALD 设备数量约为逻辑的 4-5 倍；一线存储厂商 2023 年 受政策影响扩产暂缓，未来随着国产技术突破及国产设备引入，资本开 支有望加速，利好国产设备商，目前 ALD 设备 TEL 和 ASM 合计占比 约 75%，微导纳米为国内 ALD 领军者，逻辑&存储市场开拓顺利，2023 年半导体领域新签订单是去年同期的 3.29 倍。

依托 ALD 技术延展性&客户协同性，微导纳米布局 CVD 设备。CVD 市场空间约为 ALD 的 2-3 倍且国产化率仍有待提升，如拓荆科技在 PECVD 和 SACVD 市场份额分别为 17%和 25%，微导纳米进一步拓展 CVD 设备，进行差异化竞争，以打开更大的市场空间。