长光华芯（688048）深度跟踪报告：光芯片IDM平台新征程.pdf

长光华芯（688048）深度跟踪报告：光芯片IDM平台新征程。国际视角：全球领先的光芯片企业都是平台型企业，II-VI 公司通过连续并购形 成了自身的材料平台。纵观 II-VI/相干公司的发展历史，因为光产业技术、材料 研发周期长，为了在多路径、复杂应用的市场中保持竞争力，公司通过不断并 购逐渐形成自身的材料平台，具备了从 ZnS/ZnSe、SiC 到 GaAs、InP 的材料 基础以及丰富晶圆以及外延生长技术和产线。随后公司通过并购 Finisar 和 Coherent 完善了自身在光通信、激光领域的产品矩阵，形成覆盖材料、组件、 子系统、系统和服务的价值链，并为下游的广泛应用奠定了夯实的技术基础， 触及了近 650 亿美元的市场。

建平台：高功率产品为支点，底层技术为基础，人才为核心，资本为纽带。在 量产产品方面，长光华芯已做到全球最高功率，其单管和巴条产品在功率和效 率上都处于全球领先。底层技术平台方面，长光华芯建成了全球唯二、国内唯 一的 6 吋高功率半导体激光芯片晶圆垂直整合生产线，并在芯片设计、关键设 备、工艺技术和原材料方面实现自主可控。长光华芯也在按照 II-VI 的路径进行 材料技术平台布局，其具备国内首家 IDM GaAs 芯片 6 吋产线和 3 吋 InP 产 线，正在开发的 GaN 产品线有望在 2 年内产生收入，同时在 SiC 方面积极考 虑布局。从工艺上看，外延生长决定性能、Fab 决定功率天花板、这二者都需 要长期工艺经验积累，具备较高壁垒，并为长光华芯向更大功率进发打下基 础。公司百余名研发人员中有多位国家级技术专家人才及二十余名博士，在本 土半导体工艺人才不够丰沛的前提下，团队经多年培养而成，形成人才壁垒。 同时，公司通过投资、参股、筹备产业基金的形式借助资本力量持续发展，并 培育产业链土壤。

扩品类：横向扩展三大芯片领域+纵向高功率垂直延伸一体化。参考国际厂 商，具备技术平台后，因为产品的底层技术复用性强，产品线的扩张成本将大 幅降低。具体来说，半导体激光器底层多为 GaAs/InP/GaN 材料，工艺也多为 设计+外延生长+Fab 制造+封测，其中外延生长和 Fab 制造能力有望完全复 用，设计和封测环节则需进一步考虑应用产品的情况。对于长光华芯而言，在 技术平台化后，根据不同的应用领域可以不断横向扩展芯片产品，从大功率市 场走向小功率信号市场。同时，在 GaN 平台开发完成后，可进入可见光激光 市场及部分无线通信、电功率芯片市场；未来利用化合物半导体基础将 SiC 平 台逐渐开发完成后，则可以进军更大的电功率芯片市场，且能够与大功率光芯 片形成配合，打造成套方案。在优势的高功率领域则可以深挖打通产业链，实 现纵向延伸。如在相对早期的车载激光雷达市场从 VCSEL 芯片延伸到模组； 在技术难度较高且市场规模有限的大功率激光市场，布局该产业链的封测环 节，并延伸至器件、模组、甚至激光器整机等业务，并由此形成核心优势竞争 力切入特殊应用领域市场。