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碳化硅行业研究：800V平台加速落地，高opex属性+低渗透率驱动行业领跑。800V 高压平台加速落地，2022-2023 年快速上量有望激活 SiC 一池春 水。800V 高压快充平台为解决里程焦虑的破局者，国内外车企从 2021 年 起掀起一轮 800V 平台车型发布潮，国内造车新势力及传统汽车厂商旗下 的智能电动品牌纷纷入场，以抢攻大功率快充高地。伴随高压平台逐渐落 地，具有耐高压、低阻抗、无拖尾电流等优势的 SiC 有望成为首选。

料降价叠加优异性能，SiC 有望突破成本藩篱，SiC MOSFET 或将于 2023H2 达到价格甜蜜点，带动更多车端逆变器应用。基于碳化硅电驱动 系统可降低 4.43%的典型城市工况行驶电耗的假设，由于 Si 方案提高续 航需增加电池容量并在一定程度上增加电耗，因此若等效 SiC 方案的续 航，Si 方案需明显提高电池容量，从这一方面来看 SiC 方案可以节约电池 容量扩大所带来的成本提升。若 SiC 晶圆价格年降 10%左右，则有望在 2023H2 获得正的成本节约值，SiC MOSFET 6 寸晶圆价格 3518 美元/片 时整体效益达到平衡。

乘新能源车之风，功率碳化硅器件市场扬帆起航。在 800V 平台+SiC 双 重渗透下，我们预计国内 SiC 功率器件市场规模将在 23/24/25/26 年分别 达到 5.30/9.23/15.71/25.59 亿美元，CAGR 高达 69.02%。我们以 WolfSpeed FY2021 给出的全球车载 SiC 器件市场空间计算国内占比，验 证测算的准确性，22/24/26E 占比分别在 33.12%/49.11%/55.63%，到 2026 年占比与国内新能源车销量占比基本一致。

碳化硅衬底价值量较硅基晶圆呈现显著提升，其中 MOSFET 产品更重器 件设计。以各环节价格为基础数据，我们发现，在硅基晶圆中，衬底及外 延分别占比 4.69%/5.22%，前道设计及制造占比 90%。而 6 寸碳化硅二 极管中衬底占比显著提高至 40%。与器件设计制造基本一致；6 寸 SiC MOSFET 则向器件设计端倾斜，占比提升至 62.5%，我们测算的 MOSFET 结构情况与 Yole 给出的 1200V 产品结构基本一致。

SiC 市场起量期间，国内厂商抓住扩产机会布局碳化硅产业链，填补市场 窗口。目前，国内碳化硅供应仍处于起步期，且电控用碳化硅器件尚未实 现 0 到 1 的突破，我们预计将于 2024 年实现上车。