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碳化硅行业专题分析：汽车800V高压超充时代来临，碳化硅步入黄金发展期。功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，基于功率半导体的诸多电 气技术将在双碳进程中起着不可替代的关键作用。SiC 凭借耐高压、耐高温、 更高频率的优势，有望在新能源汽车、光伏、工控、轨道交通等高压应用场景 中加速对 Si 基功率器件的替代。根据 Yole 预测，2021-2027 年全球碳化硅功率 器件市场规模有望从 10.90 亿美元增长至 62.97 亿美元，CAGR 为 34%；其中， 车规级市场是碳化硅最主要的应用场景，市场空间有望从 6.85 亿美元增长至 49.86 亿美元，CAGR 为 39.2%，超过了整个 SiC 功率器件市场增速。

国内新能车市场产销两旺，助力本土 SiC 供应链突围

根据乘联会数据，2022 上半年我国新能源汽车累计零售销量 224.7 万辆，同比 增长 122.4%，渗透率 24.3%。相较于 2021 年全年渗透率 14.8%增长近 10%，提 前实现《2020-2035 新能源汽车产业发展规划》中 2025 年新能源汽车渗透率达 到 20%的愿景。我国新能源乘用车需求已完成了由政策引导向市场驱动的转 变，渗透率有望加速提升。新能源汽车行业方兴未艾，推动了 SiC 产业链的快 速发展，当前碳化硅产业链主要由海外厂商主导，全球前五大 SiC 厂商分布在 欧洲、美国和日本，均采用 IDM 模式。车规级功率半导体企业采用 IDM 模 式，能够将设计与制造工艺、封装工艺与系统级应用更紧密的结合，形成技术 闭环，提升产品性能及可靠性。国内多家主机厂为提高供应链安全，降低被 “卡脖子”风险，纷纷通过产业投资进入 SiC 产业链相关环节。我们认为，在 国内龙头企业加速追赶海外巨头的过程中，现阶段已拥有主机厂战略投资背 书，或者获得了主机厂相关 SiC 产品定点函的 IDM 模式企业，具有先发优 势，有望在竞争中脱颖而出。

高压超充需求加速 SiC 器件渗透，国内龙头企业有望充分受益

凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性，SiC MOSFET 有望在新能源汽 车 800V 高压超充时代替代 Si IGBT，在主驱逆变器、充电桩、OBC 等应用场景 中加速渗透。主机厂通过应用更高功率密度的 1200VSiC MOSFET，可以充分 发挥 800V 高压平台和 350KW 直流超充的优势,大幅提高动力系统效率，加速大 功率超充普及，解决“里程焦虑”和“充电焦虑”。随着各主机厂 800V 高压平 台车型的陆续量产， SiC 行业需求有望快速增长。受益于新能源汽车电动化进 程加快和国内主机厂加强供应链自主可控的要求，车规级功率器件的进口替代 趋势正在形成，国内多家 SiC 产业链企业已经在主驱、OBC、DC-DC 等应用领 域得到主机厂提供的产品验证机会，部分企业已顺利取得定点函进入量产阶 段，成功导入了主机厂供应体系。我们认为，国内部分衬底制造企业和通过自 建 Foundry 向 IDM 模式转型的模块封装企业，已经在产品研发和市场导入方 面与海外龙头并跑，有望充分受益高压超充带来的历史性机遇。