IGBT行业深度报告：新能源驱动需求快速增长，国产替代迎来换挡加速.pdf

上传者：大**
时间：2022/06/21
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IGBT行业深度报告：新能源驱动需求快速增长，国产替代迎来换挡加速。IGBT兼具MOSFET输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快和BJT通态电流大、导通压降低、损耗小等优点，被广泛应用在工业控制、新能源汽车、光伏风电、变频白电、智能电网以及轨道交通等领域。随着各个下游的快速发展，我们预计2025年中国IGBT市场空间将达到601亿元，CAGR高达30 %。其中，增速最快的细分市场是新能源汽车IGBT，预计2025年我国新能源汽车的IGBT需求将达到387亿元，CAGR高达 69%。

从市场格局上来看，外资IGBT厂商业务起步较早，先发优势明显，因此形成了当前IGBT市场被德国、日本和美国企业垄断的格局。目前全球IGBT前五大玩家为英飞凌、三菱、富士电机、安森美和赛米控，其中英飞凌在各个细分市场中都有较大的领先优势。与此同时，本土IGBT企业也在快速进步，技术上逐渐实现对国外领先企业的追赶，且在客户服务方面更具优势，能快速响应下游客户的需求，并且产品价格上相比于外资也有一定优势，有利于下游客户的降本。在目前IGBT下游快速发展，行业供需持续紧张的阶段，国产替代将迎来机会，优秀的本土IGBT企业有望在这一轮的行业快速发展中脱颖而出。

碳化硅作为第三代半导体材料的代表具有优异的性能，基于其制成的功率器件相比于传统的硅基器件具有耐高压、耐高温、工作频率高、能量损耗低等优势。在车载领域，目前各大主机厂为了提高补能速度纷纷布局 800V高压平台，高压平台的到来将推动碳化硅器件在车载领域的应用，尤其是主驱逆变器中采用碳化硅模块是电驱系统升级的核心。未来随着碳化硅器件的持续降本，与硅基器件的价差将逐渐缩小，其在新能源汽车电驱系统中的渗透率将持续提升。