海外信息科技行业先进封装系列报告二：TCB确定性放量，混合键合平台化打开第二成长曲线.pdf

全球AI算力需求的爆发正推动半导体资本开支持续向HBM、先进逻辑和先进封装环节集中，键合设备作为后道封装市场中占比约44%的最大设备类别，正经历从传统倒装键合向热压键合（TCB）及混合键合（HB）的高端化演进。

市场规模与技术演进

据Global Market Insights数据，2025年全球键合设备市场规模约23亿美金，预计至2035年将增长至约52亿美金，2026-2035年CAGR约8.5%。市场呈现高度集中态势，ASMPT、Besi、K&S、EVG和SUSS前五大厂商合计占据约66%的份额。技术路径上，Pitch间距的缩小使得传统回流焊面临翘曲与对准精度瓶颈，TCB凭借高精度对准及温压可控优势成为当前HBM扩产周期中确定性最高的设备环节。

TCB放量与Fluxless TCB过渡

短期内，JEDEC放宽HBM高度限制支撑了TCB在16层甚至20层堆叠中的主流地位。随着互连间距缩小至40μm以下，无助焊剂热压键合（Fluxless TCB）因能解决助焊剂残留导致的良率问题，成为向更小pitch演进的重要过渡路线，目前已在逻辑领域获单，并进入HBM4e前期验证阶段。

混合键合的平台化与远期空间

混合键合被视为长期核心技术方向。性能层面，其互连密度较TCB提升15倍，能效提升超100倍，单互联成本仅为TCB的1/10，且能使HBM堆叠热阻降低约30%。应用层面，D2W由HBM4e/HBM5及3D Logic驱动，W2W则在CIS/NAND领域提供基本盘。产业形态上，混合键合设备正从单一主机向集成清洗、等离子活化及原位计量的平台化演进，倒逼CMP、量测等中道设备规格升维，带动产业链价值外溢。预计混合键合设备自2028年起加速出货，至2030年累计出货量预计在1150-2200台之间。